[實用新型]一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構有效
| 申請號: | 202020484870.1 | 申請日: | 2020-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN211743099U | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 汪鵬;徐建衛;徐艷 | 申請(專利權)人: | 上海矽安光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 合肥方舟知識產權代理事務所(普通合伙) 34158 | 代理人: | 劉躍 |
| 地址: | 200030 上海市徐匯*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕法 腐蝕 尺寸 開口 寬度 監控 結構 | ||
1.一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構,包括:單晶硅寸底(1)以及若干個濕法腐蝕凹槽(2),其特征在于,若干個所述濕法腐蝕凹槽(2)開設在單晶硅寸底(1)上,所述濕法腐蝕凹槽(2)頂面為矩形,濕法腐蝕凹槽(2)與濕法腐蝕凹槽(2)的錯位距離設置為1um,2um,3um……,(n-1)um,錯位間距為所要監控的濕法腐蝕凹槽(2)開口寬度的實際偏差。
2.根據權利要求1所述的一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構,其特征在于,所述單晶硅寸底(1)的腐蝕面為100晶面。
3.根據權利要求1所述的一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構,其特征在于,所述濕法腐蝕凹槽(2)數量為n個,n≥3。
4.根據權利要求1所述的一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構,其特征在于,n個所述濕法腐蝕凹槽(2)的錯位間距分別為1um,2um,3um…(n-1)um。
5.根據權利要求1所述的一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構,其特征在于,n個所述濕法腐蝕凹槽(2)按照錯位間距由小到大依次遞增的順序排列。
6.根據權利要求1所述的一種硅濕法腐蝕槽大尺寸開口寬度的監控結構,其特征在于,n個所述濕法腐蝕凹槽(2)相互緊密排列。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海矽安光電科技有限公司,未經上海矽安光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020484870.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





