[實(shí)用新型]卷芯結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020477344.2 | 申請日: | 2020-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN211507765U | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐騰飛;朱玉琪 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海冠宇電池股份有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/1391 | 分類號: | H01M4/1391;H01M4/1397;H01M10/0587;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 弋梅梅;劉芳 |
| 地址: | 519180 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,包括正極片、負(fù)極片和隔膜,所述隔膜位于所述正極片與所述負(fù)極片之間;
所述負(fù)極片上具有負(fù)極耳焊接區(qū)域,所述負(fù)極耳焊接區(qū)域內(nèi)焊接有負(fù)極耳,與所述負(fù)極耳焊接區(qū)域相對的所述正極片的表面上開設(shè)有第一凹槽,所述第一凹槽開設(shè)在所述正極片上涂敷有正極活性物質(zhì)的區(qū)域;
所述第一凹槽的長度大于所述負(fù)極耳焊接區(qū)域的長度且小于所述正極片的寬度,所述第一凹槽的寬度大于所述負(fù)極耳焊接區(qū)域的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,
所述負(fù)極耳焊接區(qū)域的表面上設(shè)有第一絕緣層,所述第一絕緣層完全覆蓋所述負(fù)極耳焊接區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凹槽的長度大于所述第一絕緣層的長度,所述第一凹槽的寬度大于所述第一絕緣層的寬度;
所述第一凹槽的深度大于所述第一絕緣層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述正極片包括正極基材和設(shè)置在所述正極基材相對的兩個側(cè)面上的正極涂層,所述正極涂層上涂敷有正極活性物質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凹槽為所述正極片上去除部分所述正極涂層后形成的凹槽,所述第一凹槽的底部為所述正極基材。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凹槽的底部涂敷有絕緣涂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一凹槽為沿所述正極片的厚度方向貫穿所述正極基材和所述正極涂層的通槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述負(fù)極片包括負(fù)極基材和設(shè)置在負(fù)極基材相對的兩個側(cè)面上的負(fù)極涂層;
所述負(fù)極涂層上開設(shè)有第二凹槽,所述第二凹槽的底部為所述負(fù)極基材,所述第二凹槽底部的所述負(fù)極基材形成所述負(fù)極耳焊接區(qū)域,所述負(fù)極耳焊接在所述第二凹槽底部的所述負(fù)極基材上并位于所述第二凹槽內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二凹槽的槽口上設(shè)有第一絕緣層,所述第一絕緣層完全覆蓋所述負(fù)極耳焊接區(qū)域,且所述第一絕緣層覆蓋所述第二凹槽的槽口邊緣的所述負(fù)極涂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的卷芯結(jié)構(gòu),其特征在于,所述負(fù)極耳焊接區(qū)域相對的所述正極片的兩個側(cè)面上均開設(shè)有所述第一凹槽。
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