[實用新型]可提高GaN器件可靠性的器件結構有效
| 申請號： | 202020474428.0 | 申請日： | 2020-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN211455693U | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發明（設計）人： | 劉春利 | 申請（專利權）人： | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智專利代理事務所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 唐玲玲 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 gan 器件 可靠性 結構 | ||
1.一種可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心內形成二維電子氣，在所述GaN器件核心的周圍從上表面至少刻蝕到二維電子氣所在層以下形成第一溝槽，所述第一溝槽構成環槽并將所述GaN器件核心包圍，在所述第一溝槽內填充有金屬。
2.根據權利要求1所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，所述GaN器件核心具有低壓部，所述低壓部通過金屬層與所述第一溝槽內的金屬電性連接。
3.根據權利要求2所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，在所述低壓部與所述第一溝槽之間刻蝕形成有第二溝槽，在所述第二溝槽內填充金屬得到所述金屬層。
4.根據權利要求3所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，所述第一溝槽內的金屬和/或所述第二溝槽內的金屬表面覆蓋有鈍化層。
5.根據權利要求4所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，所述鈍化層為SiNx或亞胺。
6.根據權利要求2所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，所述低壓部為源極金屬或柵極金屬。
7.根據權利要求1-4任一項所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，所述第一溝槽內所填充的金屬的上表面與GaN器件的上表面基本齊平。
8.根據權利要求7所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，在所述第一溝槽內逐層沉積金屬使得所述第一溝槽填充金屬。
9.根據權利要求1-4任一項所述的可提高GaN器件可靠性的器件結構，其特征在于，在所述GaN器件核心的周圍從上表面刻蝕到襯底形成第一溝槽。
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