[實用新型]發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020459733.2
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN212342655U
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設計）人: 劉小亮;黃敏;朱秀山;何安和;鄭高林;彭康偉;林素慧
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/20;H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種發(fā)光二極管，包括：發(fā)光外延結構，包括依次層疊的第一導電型半導體層、有源層以及第二導電型半導體層；電流擴展層，形成在所述第二導電型半導體層的表面，且設有呈陣列分布的多個第一開口部，露出所述第二導電型半導體層的一部分，該發(fā)光外延結構被該多個第一開口部所占據(jù)的面積比例為5%~40%；絕緣性反射層，形成在所述電流擴展層上，具有第一通孔及第二通孔，第一電極，位于所述絕緣性反射層之上，通過第一通孔與所述第一導電類型半導體層形成電性連接；第二電極，位于所述絕緣性反射層之上，通過第二通孔與所述第二導電類型半導體層形成電性連接。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體為一種倒裝型發(fā)光二極管。

背景技術

發(fā)光二極管（light emitting diode，簡稱LED）是一種利用載流子復合時釋放能量形成發(fā)光的半導體器件，尤其其中的倒裝LED芯片具有免打線、高光效、散熱性好等優(yōu)點，應用越來越廣泛。

目前倒裝型LED芯片通常采用電流擴展層（諸如ITO等導電金屬氧化物）作為P型歐姆接觸層，雖然經過高溫熔合后具有較高的透過率，但仍然具有一定的損失，不利于芯片的亮度提升，而若不采用電流擴展層作為歐姆接觸層，又難于實現(xiàn)P型半導體層的歐姆接觸。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種發(fā)光二極管，保證與發(fā)光外延結構具有足夠歐姆接觸的同時，提升器件亮度。

上述發(fā)光二極管包括：發(fā)光外延結構，包括依次層疊的第一導電型半導體層、有源層以及第二導電型半導體層；電流擴展層，形成在所述第二導電型半導體層的表面，且設有呈陣列分布的多個第一開口部，露出所述第二導電型半導體層的一部分，該發(fā)光外延結構被該多個第一開口部所占據(jù)的面積比例為5%~40%；絕緣性反射層，形成在所述電流擴展層上和該電流擴展層的所述第一開口部內，具有第一通孔及第二通孔，第一電極，位于所述絕緣性反射層之上，通過第一通孔與所述第一導電型半導體層形成電性連接；第二電極，位于所述絕緣性反射層之上，通過第二通孔與所述第二導電型半導體層形成電性連接。

優(yōu)選地，所述第一開口部的直徑為2~50μm。在一些實施例中，該發(fā)光二極管為微小尺寸LED芯片，例如該LED芯片的截面積可以為62500μm²以下，該第一開口的直徑可以為2~5μm；在一些實施例，該發(fā)光二有管為中、大尺寸LED芯片，例如該LED芯片的截面積可以為90000μm²以上，該第一開口的直徑可以為2~5μm，或者5~10μm，或者10~20μm，或者20μm以上。較佳的，該第一開口部分的直徑優(yōu)選為2~20μm，可以較好的兼顧VF（電壓）和LOP（亮度）。

優(yōu)選地，相鄰的第一開口部之間的間距為1~20μm。

優(yōu)選地，該發(fā)光外延結構被該電流擴展層占據(jù)的面積比例大于50%且小于95%。

在一些實施例中：所述絕緣性反射層包括布拉格反射層，例中可以由高、低折射率的透光性材料交替堆疊而成。

優(yōu)選的，所述絕緣性反射層覆蓋所述發(fā)光外延結構的側壁。

在一些實施例中，所述反射層包含金屬層包括金屬反射層和金屬阻擋層。

進一步地，該發(fā)光二極管還包括局部缺陷區(qū)，位于部分所述第二導電型半導體層上，且向下延伸至所述第一導電型半導體層形成臺面結構，所述臺面結構露出有發(fā)光外延結構側壁。

在一些實施例中，第一電極通過所述第一通孔電連接所述第一導電型半導體層，且所述第一電極橫跨于所述絕緣性反射層的部分表面上；所述第二電極通過所述第二通孔結構電連接所述第二導電型半導體層，且所述第二電極橫跨于所述絕緣性反射層的部分表面上。