[實用新型]陣列基板及液晶顯示面板

有效

• 申請號: 202020454400.0
• 申請日: 2020-03-31
• 公開（公告）號: CN211554588U
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 孫學軍;劉翔;楊松;李廣圣
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 文小莉;劉芳

本實用新型提供一種陣列基板及液晶顯示面板，陣列基板包括：襯底基板、設置在所述襯底基板上的像素區以及位于像素區內的薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括依次設置在所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、半導體層、源漏金屬層、彩色濾光片色阻層、保護層和像素電極，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極之間具有溝道區域；交叉設置的掃描線和數據線圍設成所述像素區，所述像素電極覆蓋在所述像素區的表面，所述數據線和所述襯底基板之間設置有所述柵極絕緣層，所述數據線的上方覆蓋有所述彩色濾光片色阻層和所述保護層。本實用新型提供的陣列基板及液晶顯示面板，可防止氧化硅保護層對金屬銅造成氧化。

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄、無輻射等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、筆記本電腦等各種消費性電子產品中，成為顯示裝置中的主流。液晶顯示面板一般由相對設置的陣列基板、彩膜基板以及夾持在陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子層組成。通過在陣列基板和彩膜基板之間施加驅動電壓，可控制液晶分子旋轉，從而使背光模組的光線折射出來產生畫面。

現有技術提供的陣列基板的制造過程中，采用金屬氧化物半導體層作為有源層，金屬氧化物TFT(薄膜晶體管)特性對H敏感，甚至會使金屬氧化物TFT失去特性，因此一般使用氧化硅而非氮化硅作為金屬氧化物TFT的保護層。

然而，陣列基板經常采用金屬銅作為源漏極金屬層，在沉積含氧化硅的金屬氧化物TFT的保護層時，金屬銅暴露在氧等離子中，嚴重被氧化，甚至發生剝落。

實用新型內容

本實用新型提供一種陣列基板及液晶顯示面板，可防止保護層對源極、漏極及數據線的金屬銅造成氧化。

本實用新型一方面提供一種陣列基板，包括：襯底基板、設置在所述襯底基板上的像素區以及位于像素區內的薄膜晶體管；

所述薄膜晶體管包括依次設置在所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、半導體層、源漏金屬層、彩色濾光片色阻層、保護層和像素電極，所述源漏金屬層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極之間具有溝道區域；

交叉設置的掃描線和數據線圍設成所述像素區，所述像素電極覆蓋在所述像素區的表面，所述數據線和所述襯底基板之間設置有所述柵極絕緣層，所述數據線的上方覆蓋有所述彩色濾光片色阻層和所述保護層。

如上所述的陣列基板，所述源漏金屬層和所述數據線均包括銅阻擋層和覆蓋在所述銅阻擋層上的金屬銅層。

如上所述的陣列基板，所述源漏金屬層還包括覆蓋在所述金屬銅層上方的銅保護層。

如上所述的陣列基板，所述銅阻擋層包括鉻、鎢、鉭、鉬、或鈦。

如上所述的陣列基板，所述銅阻擋層的厚度為所述金屬銅層的1/20-1/10。

如上所述的陣列基板，所述柵極包括附著層和覆蓋在所述附著層上的金屬銅層。

如上所述的陣列基板，所述半導體層包括第一金屬氧化物半導體層和覆蓋在所述第一金屬氧化物半導體層上方的第二金屬氧化物半導體層，所述第一金屬氧化物半導體層的導電率低于所述第二金屬氧化物半導體層的導電率。

如上所述的陣列基板，所述保護層包括硅的氧化物、氮化物或氮氧化物。

如上所述的陣列基板，位于所述漏極上方的所述保護層和所述彩色濾光片色阻層上開設有導電過孔，所述導電過孔用于連通所述像素電極和所述漏極。

本實用新型另一方面提供一種液晶顯示面板，包括如上所述的陣列基板、與所述陣列基板相對設置的彩膜基板以及夾持在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶分子層。