[實(shí)用新型]一種分立器件晶圓快速掃描測試電路及其裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020446091.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN212379510U | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王煜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陜西三海測試技術(shù)開發(fā)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 李鵬威 |
| 地址: | 710119 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分立 器件 快速 掃描 測試 電路 及其 裝置 | ||
本實(shí)用新型公開了一種分立器件晶圓快速掃描測試電路及其裝置,其測試電路包括功率驅(qū)動(dòng)模塊、電流采樣模塊、開關(guān)、電壓采樣模塊、使能模塊,所述測試電路以工作特性分為A、B、C三個(gè)端口,從每個(gè)端口引出兩根連接線分別為采樣端口和輸出端口,功率驅(qū)動(dòng)模塊用于向輸出端口進(jìn)行功率驅(qū)動(dòng),電流采樣模塊用于采樣輸出線路上的電流值,開關(guān)用于切換電路的電壓閉環(huán)和電流閉環(huán),電壓采樣模塊用于采樣采樣端口的電壓,使能模塊用于控制測試電路的工作狀態(tài)。本實(shí)用新型還相應(yīng)的公開了一種分立器件晶圓快速掃描測試裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)分立器件晶圓的大電流參數(shù)進(jìn)行快速掃描測量,有效提高了測試效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及分立器件測試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種分立器件晶圓快速掃描測試電路及其裝置。
背景技術(shù)
在分立器件主要包括場效應(yīng)管(MOS)、三極管(BJT)、二極管(DIODE)等。其中間產(chǎn)品晶圓需要進(jìn)行預(yù)先測試,剔除失效的器件,合格的器件才會(huì)進(jìn)行后面的封裝工序,分立器件經(jīng)常為單顆價(jià)值低,但批產(chǎn)量很大的品種,測試效率是非常重要的因素,提高測試效率可以大幅度提高投入產(chǎn)出比。
大電流參數(shù)對(duì)于MOS器件主要包括Rdson、Vfsd、Gfs等,對(duì)于三極管器件主要包括Vcesat、Hfe等,對(duì)于二極管器件主要包括Vf。當(dāng)這些參數(shù)的測試電流過大時(shí),會(huì)在測試電纜上引起明顯壓降,其壓降的波動(dòng)會(huì)對(duì)其它共襯底被測器件造成不可忽視的誤差。
如果能進(jìn)行并行測試,可以在投入增加不多的情況下大幅度提高測試效率,但是在進(jìn)行并行測試時(shí)要考慮晶圓襯底流過大電流時(shí)每個(gè)顆粒的參考電平變化,并且大電流參數(shù)測試時(shí)都是進(jìn)行脈沖測試,因此采用快速掃描測試方法。落。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供了一種分立器件晶圓快速掃描測試電路及其裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)分立器件晶圓的大電流參數(shù)進(jìn)行快速掃描測量,有效提高了分立器件晶圓大電流參數(shù)測試效率。
為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的,所采用的技術(shù)方案是:
本實(shí)用新型公開了一種分立器件晶圓快速掃描測試電路及其裝置,用于測試分立器件晶圓的大電流測試參數(shù),其測試電路包括功率驅(qū)動(dòng)模塊、電流采樣模塊、開關(guān)、電壓采樣模塊、使能模塊,所述測試電路以工作特性分為A、B、C三個(gè)端口,從每個(gè)端口引出兩根連接線分別為采樣端口和輸出端口,功率驅(qū)動(dòng)模塊用于向輸出端口進(jìn)行功率驅(qū)動(dòng),電流采樣模塊用于采樣輸出線路上的電流值,開關(guān)用于切換電路的電壓閉環(huán)和電流閉環(huán),電壓采樣模塊用于采樣采樣端口的電壓,使能模塊用于控制測試電路的工作狀態(tài)。本實(shí)用新型還相應(yīng)的公開了一種分立器件晶圓快速掃描測試裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)分立器件晶圓的大電流參數(shù)進(jìn)行快速掃描測量,有效提高了測試效率。
方案進(jìn)一步是:所述開關(guān)向上閉合時(shí)為電流閉環(huán),向下閉合時(shí)為電壓閉環(huán)。
方案進(jìn)一步是:所述使能模塊當(dāng)其處于禁止?fàn)顟B(tài)時(shí)測量電路不工作,當(dāng)其處于有效狀態(tài)時(shí)測量電路工作,其狀態(tài)由禁止轉(zhuǎn)為有效狀態(tài)的時(shí)間為7微秒。
方案進(jìn)一步是:所述功率驅(qū)動(dòng)模塊其中包括運(yùn)算放大器及其外圍電路,其輸出端與電流采樣模塊相連,其反相輸入端與開關(guān)相連。
本實(shí)用新型的瞬態(tài)熱阻測試電路的有益效果是:
本實(shí)用新型的一種分立器件晶圓快速掃描測試電路及其裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)分立器件晶圓的大電流參數(shù)進(jìn)行快速掃描測量,有效提高了測試效率。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
圖1是一種分立器件晶圓快速掃描測試電路原理圖;
圖2是四工位測量MOSFET晶圓的實(shí)物連接圖;
具體實(shí)施方式
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