[實(shí)用新型]一種消畸變的點(diǎn)陣投射裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020443913.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN211905878U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳馳;李安;魯亞?wèn)|;黃若普 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市安思疆科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B27/42 | 分類號(hào): | G02B27/42;G03B15/02 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人: | 米志鵬 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 畸變 點(diǎn)陣 投射 裝置 | ||
1.一種消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,包括陣列光源、逆掃描透鏡和衍射光學(xué)元件,其特征在于:
所述陣列光源發(fā)出的第一光束經(jīng)逆掃描透鏡出射為第二光束,所述第二光束經(jīng)衍射光學(xué)元件復(fù)制為出射的第三光束;所述第二光束的視場(chǎng)角α和第三光束的視場(chǎng)角γ存在約束關(guān)系:α0.8γ。
2.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述的陣列光源包括若干子光源,每個(gè)子光源發(fā)射一束子光束,所有出射的子光束組成所述的第一光束。
3.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述的陣列光源為vcsel陣列光源。
4.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述的逆掃描透鏡為單透鏡或多個(gè)透鏡組成的透鏡組。
5.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述衍射光學(xué)元件的視場(chǎng)角β5°。
6.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述的衍射光學(xué)元件的表面微結(jié)構(gòu)按照隨機(jī)相位分布。
7.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述的陣列光源由多個(gè)單體的激光發(fā)射器排列組成。
8.如權(quán)利要求1所述的消畸變的點(diǎn)陣投射裝置,其特征在于,所述的陣列光源由多個(gè)獨(dú)立控制的子陣列光源組成。
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