[實用新型]一種同時拉制多根硅芯的高頻線圈

有效

• 申請號: 202020408737.8
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN212316284U
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 戚振華
• 申請（專利權）人: 洛陽市自動化研究所有限公司
• 主分類號: C30B28/10
• 分類號: C30B28/10;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種同時拉制多根硅芯的高頻線圈，涉及高頻線圈技術領域，本實用新型通過在高頻線圈主體上設置多個拉制孔A，然后在冷卻介質通道上設置冷卻介質引流通道，將冷卻介質向高頻線圈中部引流，實現多根硅芯的同時拉制及降低高頻線圈中部溫度的目的，有效的提高了高頻線圈的使用壽命，本實用新型具有結構簡單，制造方便等特點，特別適合在多晶硅行業推廣實施。

【技術領域】

本實用新型涉及高頻線圈技術領域，具體涉及一種同時拉制多根硅芯的高頻線圈。

【背景技術】

已知的，由于硅芯的后續產品被廣泛應用于太陽能發電、半導體、軍工等領域，所以對硅芯的需求量也越來越大，而現有的硅芯在生產過程中，大多使用的是一種一次同時拉制五根或六根硅芯的高頻線圈，其工作原理為：工作時通過給高頻線圈通入高頻電流，使高頻線圈對原料棒進行感應加熱，加熱后的原料棒上端頭形成融化區，然后利用籽晶夾頭帶動籽晶穿過高頻線圈的拉制孔后插入原料棒上端的熔化區，待籽晶的端頭與熔液熔為一體后，然后慢慢提升籽晶，熔化后的原料就會跟隨籽晶上升進而形成新的柱形晶體，該柱形晶體便是硅芯的制成品。

經檢索發現，在先申請的多項涉及硅芯拉制的高頻線圈，通過實驗和應用發現，由于高頻線圈上冷卻介質通道為環形，只能對高頻線圈的外圈進行冷卻，對高頻線圈的中心部位冷卻效果不佳，最終導致高頻線圈中部溫度過高，在使用一段時間后，高頻線圈中部極易發生打火造成高頻線圈損壞，同時高頻線圈中部極易出現裂紋及隱裂紋等現象，大大降低了高頻線圈的使用壽命。

【發明內容】

鑒于背景技術中存在的不足，本實用新型公開了一種同時拉制多根硅芯的高頻線圈，本實用新型通過在高頻線圈主體上設置多個拉制孔A，然后在冷卻介質通道上設置冷卻介質引流通道，將冷卻介質向高頻線圈中部引流，實現降低高頻線圈中部的溫度目的，本實用新型具有結構簡單，加工方便等特點。

為了實現上述發明的目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種同時拉制多根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈主體、拉制孔A、拉制孔或化料孔、放射狀導流槽和開口，在所述高頻線圈主體的中部設有拉制孔或化料孔，在拉制孔或化料孔外圍的高頻線圈主體上設有至少兩個拉制孔A，在拉制孔或化料孔的內緣面上設有貫通至高頻線圈主體外緣面的開口，在拉制孔或化料孔的內緣面上設有放射狀導流槽，所述放射狀導流槽由拉制孔或化料孔向外延伸至除了開口以外的每兩個拉制孔A之間，在高頻線圈主體的右側面設有向中心位置內陷的凹陷平面，在高頻線圈主體的右側面或左側面或外緣面上設有冷卻介質通道，在冷卻介質通道上對應放射狀導流槽端頭處分別設有向放射狀導流槽凹陷的冷卻介質引流通道，所述冷卻介質通道的進口和出口分別設置在開口的兩側，冷卻介質通道的進口和出口分別連接連接座，形成所述同時拉制多根硅芯的高頻線圈。

所述的同時拉制多根硅芯的高頻線圈，所述開口的形狀為Y型開口或斜開口或直開口中的任意一種。

所述的同時拉制多根硅芯的高頻線圈，在高頻線圈主體的右側面或左側面上設置冷卻介質通道，所述冷卻介質通道為在高頻線圈主體的右側面或左側面上設置冷卻介質通路，在冷卻介質通路上對應放射狀導流槽端頭處分別設有向放射狀導流槽凹陷的凹槽，在所述冷卻介質通路和凹槽上分別設有冷卻介質通路蓋板和凸起蓋板。

所述的同時拉制多根硅芯的高頻線圈，在高頻線圈主體的右側面或左側面上設置冷卻介質通道的替換結構，所述冷卻介質通道的替換結構為在高頻線圈主體的右側面或左側面上設置冷卻介質通路，在冷卻介質通路上對應放射狀導流槽端頭處分別設有向放射狀導流槽凹陷的凹槽，在所述冷卻介質通路和凹槽內設有與冷卻介質通路和凹槽內側壁貼合的銅管，通過釬焊或銅焊或銀焊將銅管焊接在冷卻介質通路和凹槽內，所述銅管的兩端頭分別為冷卻介質的進口和出口。