[實用新型]一種MOSFET晶圓漏電流并行測試裝置有效
| 申請號： | 202020402029.3 | 申請日： | 2020-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN212379541U | 公開（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發明（設計）人： | 王煜 | 申請（專利權）人： | 陜西三海測試技術開發有限責任公司 |
| 主分類號： | G01R31/52 | 分類號： | G01R31/52;G01R19/00 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 李鵬威 |
| 地址： | 710119 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mosfet 漏電 并行 測試 裝置 | ||
1.一種MOSFET晶圓漏電流并行測試裝置，用于測試晶圓上MOSFET的漏電流值，其特征在于：包括測試模塊（1）、MOSFET（2）、開關（3）、載物臺（4）；
所述測試模塊（1）以工作特性分為A、B、C三個端口，從每個端口引出兩根連接線分別為采樣端口和輸出端口；
所述MOSFET（2）的柵極和測試模塊（1）A端口的采樣端口和輸出端口連接，MOSFET（2）的源極與測試模塊（1）C端口的采樣端口和輸出端口連接；
所有工位的測試模塊（1）B端口串聯與MOSFET（2）的公共漏極連接；
所有MOSFET（2）的漏極置于載物臺（4）之上；
所述開關（3）分別連接A端口采樣端口和B端口采樣端口與C端口采樣端口和B端口采樣端口。
2.根據權利要求1所述的MOSFET晶圓漏電流并行測試裝置，其特征在于：測量Idss時源極與柵極之間的開關（3）閉合，測量Igss時源極與漏極之間的開關（3）閉合。
3.根據權利要求2所述的MOSFET晶圓漏電流并行測試裝置，其特征在于：在進行漏電流Idss測試時，柵極和源極通過限流電阻短接，每個工位的測試模塊（1）的漏極通過限流電阻短接到載物臺（4）。
4.根據權利要求2所述的MOSFET晶圓漏電流并行測試裝置，其特征在于：在進行漏電流Igss測試時，源極電壓通過一個限流電阻加載到載物臺（4）再傳遞至漏極實現。
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