[實用新型]排氣回路、半導體設備及硅深孔刻蝕設備有效
| 申請號: | 202020396540.7 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN211350596U | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發明(設計)人: | 楊軍成 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路制造(紹興)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B01D46/24;B01D46/42 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 312000 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排氣 回路 半導體設備 硅深孔 刻蝕 設備 | ||
1.一種排氣回路,其特征在于,包括真空泵、前級管路、后級管路和過濾器;所述前級管路分別連接一腔室和所述真空泵的進口;所述后級管路分別連接所述真空泵的出口和一廢氣處理裝置;所述過濾器設置在所述前級管路上,以過濾半導體制程反應生成物。
2.根據權利要求1所述的排氣回路,其特征在于,所述過濾器包括外筒和過濾結構;所述過濾結構具有過濾孔;所述外筒具有進口和出口,所述外筒的進口與所述前級管路的一個連接口連接,所述外筒的出口與所述前級管路的另一個連接口連接;所述外筒還具有一開口,所述過濾結構用于自所述開口裝入所述外筒并與所述外筒可拆卸地連接。
3.根據權利要求2所述的排氣回路,其特征在于,所述開口位于所述外筒的頂部,所述外筒的進口和出口位于所述外筒的側壁。
4.根據權利要求2所述的排氣回路,其特征在于,所述過濾結構為內筒。
5.根據權利要求4所述的排氣回路,其特征在于,所述過濾器還包括設置在外部的連接板,所述連接板與所述內筒的一端連接并通過螺絲與所述外筒可拆卸地連接。
6.根據權利要求5所述的排氣回路,其特征在于,所述連接板為水冷板。
7.根據權利要求6所述的排氣回路,其特征在于,所述水冷板具有進水口和出水口,其中,所述水冷板和/或所述內筒具有流道,所述流道、進水口和出水口形成冷卻回路。
8.根據權利要求5所述的排氣回路,其特征在于,所述連接板與所述內筒為一體成型結構。
9.根據權利要求4-8中任一項所述的排氣回路,其特征在于,所述內筒為蜂窩狀結構。
10.根據權利要求2所述的排氣回路,其特征在于,所述過濾結構為多層過濾板。
11.根據權利要求2所述的排氣回路,其特征在于,所述前級管路的兩個所述連接口分別與所述外筒的進口和出口可拆卸地連接。
12.根據權利要求1所述的排氣回路,其特征在于,所述排氣回路還包括用于制冷所述過濾器的冷卻器,所述冷卻器設置在所述過濾器上。
13.根據權利要求1所述的排氣回路,其特征在于,所述排氣回路還包括設置在所述真空泵和所述過濾器之間的閥門。
14.根據權利要求13所述的排氣回路,其特征在于,所述排氣回路還包括用于感測所述排氣回路中氣體壓力的壓力檢測器;當所述壓力檢測器所檢測的氣體壓力超過預設值時,所述閥門關閉。
15.一種半導體設備,其特征在于,包括腔室以及如權利要求1-14中任一項所述的排氣回路,所述排氣回路的前級管路連接所述腔室。
16.一種硅深孔刻蝕設備,其特征在于,包括腔室以及如權利要求1-14中任一項所述的排氣回路,所述排氣回路的前級管路連接所述腔室。
17.根據權利要求16所述的硅深孔刻蝕設備,其特征在于,所述排氣回路的所述真空泵為干式真空泵,且所述排氣回路還包括分子泵,所述分子泵通過所述前級管路與所述腔室連接,所述過濾器設置在所述分子泵和所述干式真空泵相交匯的前級管路處。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





