[實用新型]溝槽型IGBT器件結構有效
| 申請號： | 202020393712.5 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN211480037U | 公開（公告）日： | 2020-09-11 |
| 發明（設計）人： | 朱賢龍;閆鵬修 | 申請（專利權）人： | 廣東芯聚能半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511458 廣東省廣州市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 igbt 器件 結構 | ||
1.一種溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，包括：
第一導電類型的襯底；
第二導電類型的漂移區，形成于所述第一導電類型的襯底內；
溝槽柵極，位于所述第二導電類型的漂移區內；所述溝槽柵極包括：
絕緣隔離層；
柵極導電層，位于所述絕緣隔離層的上表面；
柵氧化層，位于所述絕緣隔離層的上表面，且位于所述第二導電類型的漂移區與所述柵極導電層之間。
2.根據權利要求1所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，還包括：
第一導電類型的阱區，位于所述第二導電類型的漂移區上；所述溝槽柵極貫穿所述第一導電類型的阱區并延伸至所述第二導電類型的漂移區內。
3.根據權利要求2所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，還包括：
第二導電類型的第一摻雜區，位于所述第一導電類型的阱區內；所述溝槽柵極貫穿所述第二導電類型的第一摻雜區及所述第一導電類型的阱區并延伸至所述第二導電類型的漂移區內；
第二導電類型的第二摻雜區，位于所述第一導電類型的阱區內，且位于相鄰所述第二導電類型的第一摻雜區之間。
4.根據權利要求3所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，所述柵極導電層及所述柵氧化層均貫穿所述第二導電類型的第一摻雜區及所述第一導電類型的阱區并延伸至所述第二導電類型的漂移區內。
5.根據權利要求3所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，所述第二導電類型的第二摻雜區的深度小于所述第二導電類型的第一摻雜區的深度，且所述第二導電類型的第一摻雜區的深度小于所述第一導電類型的阱區的深度。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，所述絕緣隔離層的厚度大于所述柵氧化層的厚度。
7.根據權利要求1-5中任一項所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于：所述絕緣隔離層包括氧化層。
8.根據權利要求2-5中任一項所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于：所述柵極導電層的深度及所述柵氧化層的深度均大于第一導電類型的阱區的深度。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，所述第一導電類型包括P型且所述第二導電類型包括N型。
10.根據權利要求1-5中任一項所述的溝槽型IGBT器件結構，其特征在于，所述第一導電類型包括N型且所述第二導電類型包括P型。
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