[實用新型]一種抗沖擊CVD金剛石自支撐材料

有效

• 申請號: 202020363052.6
• 申請日: 2020-03-20
• 公開（公告）號: CN212025450U
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 李衛
• 申請（專利權）人: 廊坊西波爾鉆石技術有限公司
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/52;C23C16/01
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種抗沖擊CVD金剛石自支撐材料，包括基體(1)和位于所述基體(1)表層的生長層(2)；其特征在于，

所述生長層(2)為多層結構，其中，包括相間設置的多個第一晶粒層(21)和第二晶粒層(22)；所述第一晶粒層(21)的晶粒大小大于所述第二晶粒層(22)的晶粒大小。

2.根據權利要求1所述的一種抗沖擊CVD金剛石自支撐材料，其特征在于，所述第一晶粒層(21)與第二晶粒層(22)的厚度比值為10～5.5:1。

3.根據權利要求1所述的一種抗沖擊CVD金剛石自支撐材料，其特征在于，所述第一晶粒層(21)采用第一生長參數的熱絲工藝制造，所述第一生長參數包括氫氣流量、甲烷流量、燈絲溫度、襯底溫度以及生長時長；所述第二晶粒層(22)采用第二生長參數的熱絲工藝制造，所述第二生長參數包括流量改變參量、加入氣體參量以及時長改變參量。

4.根據權利要求3所述的一種抗沖擊CVD金剛石自支撐材料，其特征在于，所述氫氣流量為1000sccm，所述甲烷流量為40sccm，所述燈絲溫度為2200-2500℃，所述襯底溫度為750-850℃，所述生長時長為2小時；所述流量改變參量包括增加或減少氫氣流量或甲烷流量；所述加入氣體參量包括加入氬氣或氮氣；所述時長改變參量包括增加或減少生長時長。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的一種抗沖擊CVD金剛石自支撐材料，其特征在于，所述生長層(2)的厚度至少為1mm。