[實(shí)用新型]一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)及LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020347522.X
• 申請(qǐng)日: 2020-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211350682U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃文洋;林雅雯;黃國(guó)棟;黃嘉宏;楊順貴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/22
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/22;H01L33/12;H01L33/06
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 吳志益;朱陽(yáng)波

1.一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

GaAs襯底；

GaAs緩沖層，所述GaAs緩沖層設(shè)置于所述GaAs襯底上；

AlAs犧牲層，所述AlAs犧牲層設(shè)置于所述GaAs緩沖層上，所述AlAs犧牲層上設(shè)置有多個(gè)凹陷部；

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)置于所述AlAs犧牲層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凹陷部為錐形凹陷部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體層從下至上依次包括低溫P型GaP層、高溫P型GaP層、P型AlInP限制層、MQW多量子阱發(fā)光層、N型AlInP限制層和N型GaAs接觸層；

所述低溫P型GaP層的下表面設(shè)置有多個(gè)錐形凸起部，多個(gè)所述錐形凸起部分別嵌入多個(gè)所述錐形凹陷部?jī)?nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述GaAs緩沖層的厚度為100-1000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述低溫P型GaP層的厚度為100-1000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述錐形凹陷部的底面直徑為5-40nm，所述錐形凹陷部的高為5-40nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述AlAs犧牲層的厚度大于所述錐形凹陷部的高，所述AlAs犧牲層的厚度為10-50nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述錐形凹陷部的底面位于所述AlAs犧牲層的上表面，所述錐形凹陷部為形成于所述AlAs犧牲層上的上大下小的圓錐形凹陷。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：相鄰兩個(gè)所述錐形凹陷部的底面相切。

10.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片內(nèi)設(shè)置有權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的襯底可剝離式LED外延結(jié)構(gòu)。