[實用新型]一種LED芯片

有效

• 申請號: 202020343582.4
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN211455714U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 李鎮勇;魏振東;陳帥城;劉巖;林鋒杰
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型提供了一種LED芯片，通過在外延疊層的局部區域蝕刻至部分所述的N型半導體層，使所述外延疊層形成N電極制作區域及第一臺面；所述第一臺面的表面設有P電極制作區域，且所述第一臺面的邊緣設有若干個孔洞，各所述孔洞自所述P型半導體層經所述有源區延伸至部分所述N型半導體層；在各所述孔洞的內部填充有透光型絕緣材料，且各所述孔洞至少被填充至與所述有源區同一水平表面；進而在LED芯片的驅動電流一定的情況下，有效提升電流密度達到增強LED芯片內量子效率的效果；同時，能通過孔洞的側壁出光，增加出光面積，進一步提高LED芯片的外量子效率；從而有效提高LED芯片的光的提取率。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管領域，尤其涉及一種LED芯片。

背景技術

隨著LED技術的快速發展以及LED光效的逐步提高，LED的應用也越來越廣泛，人們越來越關注LED在照明市場的發展前景。LED芯片，作為 LED燈的核心組件，其功能就是把電能轉化為光能，具體的，包括外延片和分別設置在外延片上的N型電極和P型電極。所述外延片包括P型半導體層、 N型半導體層以及位于所述N型半導體層和P型半導體層之間的有源層，當有電流通過LED芯片時，P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子會向有源層移動，并在所述有源層復合，使得LED芯片發光。

但是，現有的LED芯片，由于其芯片邊緣的發光區電流密度相對較低，導致LED芯片的出光效率低；因此，如何提高發光二極管的半導體芯片的出光效率已經成為當今科研領域最重要的課題之一。

有鑒于此，本發明人專門設計了一種LED芯片，本案由此產生。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種LED芯片，以解決現有技術中因LED芯片邊緣的發光區電流密度相對較低，導致LED芯片的出光效率低的問題。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種LED芯片，包括：

襯底；

設置于所述襯底表面的外延疊層，所述外延疊層包括沿第一方向依次堆疊的N型半導體層、有源區以及P型半導體層，且所述外延疊層的局部區域蝕刻至部分所述的N型半導體層，使所述外延疊層形成N電極制作區域及第一臺面；所述第一臺面的表面設有P電極制作區域，且所述第一臺面的邊緣設有若干個孔洞，各所述孔洞自所述P型半導體層經所述有源區延伸至部分所述N型半導體層；在各所述孔洞的內部填充有透光型絕緣材料，且各所述孔洞至少被填充至與所述有源區同一水平表面；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述外延疊層；

電流擴展層，其層疊于所述第一臺面的表面，且覆蓋各所述孔洞；

N型電極，其層疊于所述N電極制作區域；

P型電極，其層疊于所述電流擴展層背離所述外延疊層的一側表面且位于所述P電極制作區域的正上方。

優選地，在所述P電極制作區域設有電流阻擋層，且所述電流擴展層環繞所述電流阻擋層并覆蓋各所述孔洞；

所述P型電極，其層疊于所述電流阻擋層背離所述外延疊層的一側表面。

優選地，各所述孔洞的大小均勻，其直徑為d；且同一水平線上的各相鄰所述孔洞呈等間距排布，其間距為L，則L≥4*d；

各所述孔洞的表面積之和為S，所述電流擴展層的鋪設面積為A，則S ≤A/10。

優選地，所述電流擴展層的環繞高度高于所述電流阻擋層，形成凹槽和第二臺面；則所述P型電極層疊于所述凹槽內部，并延伸至所述第二臺面。

優選地，各所述孔洞的直徑范圍為0.5um～3um，包括端點值。