[實(shí)用新型]垂直腔面發(fā)射激光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020342032.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211929898U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸城柱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/187
• 分類號(hào): H01S5/187;H01S5/323
• 代理公司: 北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;玉昌峰

1.一種垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，包括：

下鏡；

上鏡，布置于所述下鏡上方；

活性區(qū)域，布置于所述下鏡和所述上鏡之間；

下n型覆層，布置于所述活性區(qū)域和所述下鏡之間；

上n型覆層，布置于所述活性區(qū)域和所述上鏡之間；

高濃度摻雜的p型半導(dǎo)體層，布置于所述活性區(qū)域和所述上n型覆層之間；以及

高濃度摻雜的n型半導(dǎo)體層，布置于所述高濃度摻雜的p型半導(dǎo)體層和所述上n型覆層之間而與所述高濃度摻雜的p型半導(dǎo)體層形成隧道接合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述高濃度摻雜的p型半導(dǎo)體層包括p⁺⁺InAlAs或p⁺⁺InAlGaAs。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述高濃度摻雜的n型半導(dǎo)體層包括n⁺⁺InP、n⁺⁺InAlGaAs或n⁺⁺InAl As。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面發(fā)射激光器件還包括布置于所述活性區(qū)域和所述高濃度摻雜的p型半導(dǎo)體層之間的蝕刻阻擋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述蝕刻阻擋層包括p型InP。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述活性區(qū)域包括障壁層及布置于所述障壁層之間的阱層，所述障壁層及所述阱層包括InAlGaAs系列的半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面發(fā)射激光器件還包括相接于所述活性區(qū)域而布置于所述活性區(qū)域兩側(cè)的InAlGaAs系列的間隔層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述下n型覆層及所述上n型覆層分別包括n型接觸層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面發(fā)射激光器件還包括分別接觸于所述下n型覆層及所述上n型覆層的下歐姆接觸層及上歐姆接觸層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述下歐姆接觸層及所述上歐姆接觸層包括AuGe。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面發(fā)射激光器件還包括絕緣層，所述絕緣層局部性位于所述上n型覆層和所述上歐姆接觸層之間而將所述上歐姆接觸層的外側(cè)邊緣與所述上n型覆層隔開(kāi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述下鏡是反復(fù)層疊InAlAs和InAlGaAs而形成的分布式布拉格反射器，所述上鏡是反復(fù)層疊具有彼此不同折射率的電介質(zhì)層而形成的分布式布拉格反射器。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面發(fā)射激光器件包括：

環(huán)狀的溝槽，使所述下n型覆層暴露；以及

臺(tái)面，被所述溝槽圍繞，

所述臺(tái)面包括所述活性區(qū)域、所述高濃度摻雜的p型半導(dǎo)體層、所述高濃度摻雜的n型半導(dǎo)體層以及所述上n型覆層，

所述上鏡在所述臺(tái)面上布置于所述上n型覆層上。