[實用新型]入發式腦電帽

有效

• 申請號: 202020318810.2
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN212066710U
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 裴為華;查愛華;吳曉婷;王毅軍;田森
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃腦機融合智能技術研究所有限公司;中國科學院半導體研究所
• 主分類號: A61B5/0476
• 分類號: A61B5/0476;A61B5/00;A61B5/0478
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 黃曉明

1.入發式腦電帽，其特征在于，包括：

基座，

若干腦電干電極，

若干細長形的支撐桿，所述支撐桿一端連接到基座，所述支撐桿另一端連接腦電干電極，所述該若干支撐桿均成彎曲形態并在支撐桿另一端成向中心聚攏的趨勢。

2.根據權利要求1所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述基座中至少其部分具有在垂直于其延伸方向的彈性回復能力的彈性結構，或所述支撐桿中至少其部分具有在不平行于其延伸方向的彈性回復能力的彈性結構。

3.根據權利要求2所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述彈性結構包括橡膠桿或者彈簧或者彈性金屬桿。

4.根據權利要求1-3任一所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述支撐桿在垂直于其延伸方向的截面為圓形或方形或橢圓形。

5.根據權利要求1所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述入發式腦電帽還包括放大電路，所述放大電路與腦電干電極電連接并對其獲取的檢測信號進行放大。

6.根據權利要求5所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述放大電路設置于基座。

7.根據權利要求6所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述設置于基座的放大電路與設置于支持桿另一端的腦電干電極之間通過沿支撐桿設置的連接線進行電連接。

8.根據權利要求1所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述腦電干電極為Ag/AgCL燒結干電極或者純銀干電極或者復合干電極，所述復合干電極為以高分子材料為基材，并在其至少部分表面形成Ag/AgCL層或者Ag層的電極。

9.根據權利要求1或8所述的入發式腦電帽，其特征在于，所述腦電干電極為圓形的或方形的或橢圓的。