[實用新型]氮化鎵半導體器件

有效

• 申請號: 202020290078.2
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN211529944U
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 姚衛剛
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（蘇州）半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/18;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 珠海智專專利商標代理有限公司 44262
• 代理人: 薛飛飛;黃國豪

1.氮化鎵半導體器件，其特征在于，包括：

晶體管，所述晶體管包括第一基板、柵極、源極和漏極，所述柵極、所述源極和所述漏極均位于所述第一基板的正面；

二極管，所述二極管包括第二基板、陽極和陰極，所述陽極和所述陰極中的至少一個位于所述第二基板的正面，所述第一基板的背面與所述第二基板的背面粘結固定；

密封材料，所述密封材料至少部分包裹所述晶體管和所述二極管；

第一電氣互連件，所述第一電氣互連件將所述源極與所述陽極電連接；

第二電氣互連件，所述第二電氣互連件將所述漏極與所述陰極電連接；

所述第一電氣互連件和所述第二電氣互連件兩者中的至少一個穿過所述密封材料。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述二極管為橫向PN結二極管或氮化鎵二極管。

3.根據權利要求2所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述密封材料中開設有兩個穿玻通孔，所述第一電氣互連件位于一個所述穿玻通孔內，所述第二電氣互連件位于另一個所述穿玻通孔內。

4.根據權利要求1至3任一項所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述第一基板與所述第二基板通過絕緣膠或焊膏粘結固定。

5.根據權利要求1所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述二極管為縱向PN結二極管。

6.根據權利要求5所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述密封材料中開設有穿玻通孔，所述第一電氣互連件位于所述穿玻通孔內；

所述晶體管中開設有穿硅通孔，所述第二電氣互連件位于所述穿硅通孔內。

7.根據權利要求6所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述第一基板的背面設置有第一金屬層，所述第一金屬層與所述漏極通過所述第二電氣互連件電連接；

所述第二基板的背面設置有與所述第一金屬層電連接的第二金屬層，所述第二金屬層與所述陰極電連接。

8.根據權利要求7所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于：

所述第一金屬層與所述第二金屬層通過導電膠粘結固定。