[實用新型]多波長LED外延結構、芯片

有效

• 申請號: 202020276602.0
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN211455713U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 林志偉;陳凱軒;卓祥景;蔡建九;堯剛
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多波長LED外延結構，其特征在于，包括：

依次層疊的襯底、緩沖層和堆疊結構；

所述堆疊結構包括：多個發光結構、非摻雜覆蓋層和絕緣層，所述發光結構包括依次層疊的N型導電層、有源層和P型導電層，多個發光結構依次層疊于所述緩沖層遠離襯底的一側且N型導電層靠近所述緩沖層設置；所述非摻雜覆蓋層和絕緣層層疊且設于相鄰兩個發光結構之間，所述非摻雜覆蓋層靠近所述緩沖層設置，所述絕緣層遠離所述緩沖層設置。

2.根據權利要求1所述的多波長LED外延結構，其特征在于，所述堆疊結構還包括N型摻雜覆蓋層，所述非摻雜覆蓋層靠近所述緩沖層設置，所述N型摻雜覆蓋層靠近所述絕緣層設置。

3.根據權利要求2所述的多波長LED外延結構，其特征在于，所述N型摻雜覆蓋層的厚度小于所述非摻雜覆蓋層的四分之一，所述N型摻雜覆蓋層的厚度為1nm-500nm。

4.根據權利要求2所述的多波長LED外延結構，其特征在于，所述N型摻雜覆蓋層的數量為多層，相鄰N型摻雜覆蓋之間設有所述非摻雜覆蓋層。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的多波長LED外延結構，其特征在于，所述發光結構的數量為兩個，兩個所述發光結構分別為第一發光結構和第二發光結構，所述第一發光結構的N型導電層、有源層和P型導電層分別為第一N型導電層、第一有源層和第一P型導電層，所述第二發光結構的N型導電層、有源層和P型導電層分別為第二N型導電層、第二有源層和第二P型導電層，所述第一發光結構、非摻雜覆蓋層、絕緣層和第二發光結構構成所述堆疊結構。

6.一種多波長LED芯片，其特征在于，包括：

層疊的透明導電層和堆疊結構，所述堆疊結構包括依次層疊的第一發光結構、非摻雜覆蓋層、絕緣層和第二發光結構，所述第一發光結構包括依次層疊的第一N型導電層、第一有源層和第一P型導電層，所述第二發光結構包括依次層疊的第二N型導電層、第二有源層和第二P型導電層，所述第一N型導電層和第二N型導電層靠近所述透明導電層設置；所述多波長LED芯片還包括：

自透明導電層向所述第二N型導電層延伸并顯露所述第二N型導電層的第一通孔，所述第一通孔的側壁設有隔離層；

設于所述透明導電層上并設于所述第一通孔內的第一電極，所述第一電極與所述第二N型導電層電連接；

自所述第二P型導電層向所述第一P型導電層延伸并顯露所述第一P型導電層的第二通孔，所述第二通孔的側壁設有隔離層；

設于所述第二P型導電層遠離第二有源層的一側并設于所述第二通孔內的聯通層，所述聯通層與所述第一P型導電層電連接；以及

依次層疊于所述聯通層遠離第二P型導電層一側的反射層、鍵合層、導電基板和第二電極。

7.根據權利要求6所述的多波長LED芯片，其特征在于，還包括：

設于芯片側壁且自所述透明導電層向所述第二N型導電層延伸并顯露所述第二N型導電層的臺階，所述臺階的側壁設有隔離層；

以及設于所述臺階和透明導電層上的第一擴展電極。

8.根據權利要求6所述的多波長LED芯片，其特征在于，所述第二通孔的數量為多個，多個第二通孔均勻且間隔分布。

9.根據權利要求6所述的多波長LED芯片，其特征在于，所述堆疊結構還包括N型摻雜覆蓋層，所述非摻雜覆蓋層靠近所述透明導電層設置，所述N型摻雜覆蓋層靠近所述絕緣層設置。