[實用新型]一種提高單晶硅拉速的冷卻裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020262421.2 | 申請日： | 2020-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN211921735U | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高潤飛;勒立輝;張文霞;姚長娟;武志軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司;天津環(huán)博科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京開陽星知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11710 | 代理人： | 樊曉敏 |
| 地址： | 010070 內(nèi)蒙*** | 國省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 單晶硅 冷卻 裝置 | ||
1.一種提高單晶硅拉速的冷卻裝置，包括水冷內(nèi)導(dǎo)(1)、進(jìn)水管道(3)、出水管道(4)，所述進(jìn)水管道(3)與所述出水管道(4)相對固定設(shè)于所述水冷內(nèi)導(dǎo)(1)的上部兩側(cè)，其特征在于：所述水冷內(nèi)導(dǎo)(1)的內(nèi)表面設(shè)置多個格柵(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高單晶硅拉速的冷卻裝置，其特征在于：所述格柵(2)沿水冷內(nèi)導(dǎo)(1)直徑方向均勻固定在水冷內(nèi)導(dǎo)(1)的內(nèi)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提高單晶硅拉速的冷卻裝置，其特征在于：所述水冷內(nèi)導(dǎo)(1)為上部開口大底部開口小的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)中設(shè)有中空腔體，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)的上部相對設(shè)置有進(jìn)水口和出水口，所述進(jìn)水口與所述進(jìn)水管道(3)固定連接，所述出水口與所述出水管道(4)固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高單晶硅拉速的冷卻裝置，其特征在于：所述水冷內(nèi)導(dǎo)(1)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)為錐形結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提高單晶硅拉速的冷卻裝置，其特征在于：所述進(jìn)水管道(3)與所述出水管道(4)下部分別設(shè)有懸掛桿(5)，所述懸掛桿將所述水冷內(nèi)導(dǎo)(1)與導(dǎo)流筒固定連接。
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