[實(shí)用新型]一種基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移裝置及其系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020252848.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN211320073U | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏其源;王英琪;袁山富;曹江;顏家煌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L33/00;H01L25/16 |
| 代理公司: | 廣州正明知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44572 | 代理人: | 成姍 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 磁懸浮 巨量 轉(zhuǎn)移 裝置 及其 系統(tǒng) | ||
1.一種基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,包括:
光源以及相對(duì)設(shè)置的上基板和下基板,所述上基板和下基板的相對(duì)面上均設(shè)有電磁體,所述電磁體均通過導(dǎo)線與電源相連接;所述上基板和下基板之間設(shè)有可容置轉(zhuǎn)移基板和/或目標(biāo)基板的轉(zhuǎn)移空間;所述光源所發(fā)出的光入射至所述轉(zhuǎn)移空間中的目標(biāo)基板的放置位上,所述上基板中設(shè)有供所述光源所發(fā)出的光進(jìn)入所述轉(zhuǎn)移空間中的透光窗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述上基板與所述下基板上的所述電磁體數(shù)量相一致,且一一相對(duì)準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述上基板與所述下基板之間相互對(duì)準(zhǔn)的電磁體的極性相反。
4.一種基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng),其特征在于,包括:如權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的巨量轉(zhuǎn)移裝置,以及轉(zhuǎn)移基板和目標(biāo)基板;所述轉(zhuǎn)移基板和目標(biāo)基板放置于所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的轉(zhuǎn)移空間中,所述轉(zhuǎn)移基板上設(shè)有一個(gè)以上的LED芯片,每個(gè)所述LED芯片上均通過光刻膠粘貼有永磁體;所述永磁體的兩極以上下分布的形式設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng),其特征在于,粘貼于相鄰的所述LED芯片上的永磁體,其磁極相互倒置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng),其特征在于,所述永磁體粘貼于所述LED芯片的側(cè)面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于磁懸浮的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng),其特征在于,所述永磁體粘貼于所述LED芯片的頂部。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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