[實用新型]一種用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置

有效

• 申請號: 202020248635.4
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN211320059U
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 張小飛;張紀堯
• 申請（專利權）人: 大連威凱特科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責任公司 21212
• 代理人: 徐華燊;李洪福

1.一種用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，包括：箱體，箱體內部設有容納待處理硅晶片的空間，箱體至少有一個壁面能夠全部分離或部分分離于相鄰壁面，其用作物料的進出口，所述箱體外壁布置多個微波源，其用于揮發掉硅晶片表面的水分和污染殘留，所述箱體設有進風口和出風口，所述進風口外部連接有進風管道和/或所述出風口外連接有出風管道，進風管道和/或出風管道與風機相連，使得進風口與出風口之間形成用于干燥硅晶片的空氣流道。

2.根據權利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，所述箱體為金屬材質，箱體為多面體，各面相互連接，在干燥、去污工藝過程中，形成封閉的箱體，每一側壁面形狀相同或不同，壁面形狀包括多邊形平面或曲面。

3.根據權利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，箱體的上壁為可分離的蓋板或是鉸接于其中一條側壁或是通過設置在側壁上的滑道連接在側壁上，基于此形成供物料進出的通道。

4.根據權利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，在所述箱體的至少一個箱壁，開設至少一個進風口和出風口，所述進風口和出風口為預設形狀，包括圓形和矩形，進風口總面積與壁面的比例為1/10-1/2，出風口總面積與壁面的比例為1/10-1/2。

5.根據權利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，在干燥箱內底面風口以上位置，設置支架裝置，其用于支撐裝有硅晶片的籃框，以免籃框直接放置在干燥箱底面，影響空氣流動效率。

6.根據權利要求5所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，所述支架裝置包括平板支撐部，其材質為金屬或無機非金屬或是高分子聚合物，所述平板支撐部的形狀和規格與放置該支架裝置處箱體的內腔截面相同，所述平板支撐部與箱體之間能夠保持穩定，具體地，所述箱體的內腔側壁設有支撐所述平板支撐部的凸起，或是所述平板支撐部的下方連接有支腿，以支腿形式布置在干燥箱底面。

7.根據權利要求6所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，所述平板支撐部距底面20mm-200mm，在支架平板上，按預設規律開有預設形狀的孔，所述孔型包括圓形、矩形、長條形規則形狀。

8.根據權利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，所述箱體的壁面外側按預設規律開有微波饋入孔，在其間安裝有微波發射器，所述微波發射器與微波電源及控制器相連。

9.根據權利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的裝置，其特征在于，所述箱體的壁面安裝有紅外測溫儀，其用于檢測硅晶片表面的溫度，其與控制器相連，控制器基于紅外測溫儀檢測到的硅晶片溫度與預設溫度之間的關系，控制微波電源啟閉狀態。