[實(shí)用新型]真空蒸膜設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020239745.4
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN212316238U
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳珉;黎守新
• 申請（專利權(quán)）人: 成都晶砂科技有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/24
• 代理公司: 成都百川興盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51297
• 代理人: 王云春;夏曉明

1.一種真空蒸膜設(shè)備，其特征在于，包括：

真空室，其包括提供真空環(huán)境的空腔；

蒸發(fā)源，其設(shè)置于空腔內(nèi)；

第一晶振座，其設(shè)置于空腔內(nèi)，其朝向蒸發(fā)源；

第一晶振，其安裝于第一晶振座；

第一傳感器，其安裝于第一晶振座，其用于測量第一晶振的頻率變化量并將所測量的第一晶振的頻率變化量轉(zhuǎn)換成第一電信號；

前反饋控制模塊，其用于獲取第一電信號并對材料沉積在第一晶振上的時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)得到沉積時(shí)間t，其用于基于所獲取的第一電信號得到第一晶振的頻率變化量，其用于基于第一晶振的頻率變化量計(jì)算得到沉積在第一晶振上的材料的質(zhì)量變化量，再基于沉積在第一晶振上的材料的質(zhì)量變化量和沉積時(shí)間計(jì)算得到蒸發(fā)源中材料的蒸發(fā)速率V；

基片，其設(shè)置于空腔內(nèi)；

基片擋板，其設(shè)置于空腔內(nèi)，其能從基片與蒸發(fā)源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發(fā)源之間位置或從基片與蒸發(fā)源之間位置移動到基片與蒸發(fā)源之間位置之外的位置；

第一驅(qū)動裝置，其用于驅(qū)動基片擋板從基片與蒸發(fā)源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發(fā)源之間位置或從基片與蒸發(fā)源之間位置移動到基片與蒸發(fā)源之間位置之外的位置；

第二晶振座，其設(shè)置于基片擋板；

第二晶振，其安裝于第二晶振座；

第二傳感器，其安裝于第二晶振座，其用于測量第二晶振的頻率變化量并將所測量的第二晶振的頻率變化量轉(zhuǎn)換成第二電信號；

后反饋控制模塊，其用于獲取第二信號，其用于基于所獲取的第二電信號得到第二晶振的頻率變化量，其用于基于第二晶振的頻率變化量換算得到蒸發(fā)成氣態(tài)的材料沉積在基片上膜層厚度的實(shí)際測量值；

蒸發(fā)源擋板，其設(shè)置于空腔內(nèi)位于蒸發(fā)源與基片擋板、第一晶振之間的位置并能沿與蒸發(fā)源中的材料在氣相時(shí)向第一晶振、基片流動的路徑相交的軌跡往復(fù)移動使擋住蒸發(fā)源中的材料在氣相時(shí)向第一晶振、基片流動的路徑的面積增大、減小或保持不變；

第二驅(qū)動裝置，其用于驅(qū)動蒸發(fā)源擋板沿與蒸發(fā)源中的材料在氣相時(shí)向第一晶振座、基片流動的路徑相交的軌跡往復(fù)移動；

總控制模塊，其用于將蒸發(fā)速率與預(yù)定蒸發(fā)速率比較得到第一比較結(jié)果并基于第一比較結(jié)果向前反饋控制模塊發(fā)出控制第二驅(qū)動裝置驅(qū)動蒸發(fā)源擋板沿與蒸發(fā)源中的材料在氣相時(shí)向第一晶振、基片流動的路徑相交的軌跡往復(fù)移動使擋住蒸發(fā)源中的材料在氣相時(shí)向第一晶振、基片流動的路徑的面積增大、減小或保持不變的第一控制信號和將該實(shí)際測量值與預(yù)定厚度值比較得到第二比較結(jié)果并基于第二比較結(jié)果向后反饋控制模塊發(fā)出控制第一驅(qū)動裝置驅(qū)動基片擋板從基片與蒸發(fā)源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發(fā)源之間位置或從基片與蒸發(fā)源之間位置移動到基片與蒸發(fā)源之間位置之外的位置的第二控制信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述真空蒸膜設(shè)備，其特征在于，所述前反饋控制模塊基于第一晶振的頻率變化量通過公式（1）計(jì)算得到沉積在第一晶振上的材料的質(zhì)量變化量；

————（1）

公式（1）中，ΔF_S1表示第一晶振的頻率變化量，Δm1表示沉積在第一晶振上的材料的質(zhì)量變化量，f₀₁表示第一晶振的基本頻率，ρ_Q1表示第一晶振的密度，μ_Q1表示第一晶振的剪應(yīng)力，A₁表示第一晶振的電極面積，N表示常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述真空蒸膜設(shè)備，其特征在于，所述前反饋控制模塊基于沉積在第一晶振上的材料的質(zhì)量變化量和沉積時(shí)間通過公式（3）計(jì)算得到蒸發(fā)源中材料的蒸發(fā)速率V，

V=Δm1/t ————（3）。