[實用新型]實現外延材料深亞波長光子模式體積的平面漏斗微腔有效
| 申請號： | 202020223008.5 | 申請日： | 2020-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN211979245U | 公開（公告）日： | 2020-11-20 |
| 發明（設計）人： | 周靖;蘭夢珂;儲澤世;代旭;余宇;郭尚坤;鄧杰;陳效雙;蔡清元;李方哲;嵇兆煜;布勇浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;G02B6/12;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實現 外延 材料 波長 光子 模式 體積 平面 漏斗 | ||
【權利要求書】：
1.一種實現外延材料深亞波長光子模式體積的平面漏斗微腔，其特征在于：
所述平面漏斗微腔的結構為：在金屬反射薄膜(1)上依次有外延材料層(2)和平面漏斗形天線層(3)；
所述的金屬反射薄膜(1)是一層完整的金屬金反射層，金屬銀反射層，金屬鋁反射層，或金、銀、鋁的合金反射層；其厚度不小于電磁波在該金屬中趨膚深度的兩倍；
所述的外延材料層(2)是二至五層異質材料層，其厚度小于探測波長的五分之一，所述的異質材料層是GaAs、GaN以及SiC半導體材料層，或GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs/InP、InGaAs/GaAs單層或多層量子阱層，或GaAs/AlAs超晶格、InAs/GaSb超晶格材料層，或GaAs、InAs、InP、CdSe自組織生長的量子點材料層；
所述的平面漏斗形天線層(3)是高導電性材料天線層，所述的高導電性材料天線層是金、銀、鋁、銅或合金材料天線層，其厚度不小于電磁波在該金屬中趨膚深度的兩倍。
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