[實(shí)用新型]一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器及陣列探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020221444.9
• 申請(qǐng)日: 2020-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211929502U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州東薇極光信息科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/102;H01L31/0224;H01L23/36;H01L31/032
• 代理公司: 杭州知學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33356
• 代理人: 何紅信

1.一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：包括絕緣基底、光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)、感光端電極和冷端電極；所述光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)覆設(shè)在絕緣基底上；

所述光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)為由感光區(qū)和垂直于感光區(qū)的非感光區(qū)構(gòu)成的L形；光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)兩端分別為位于感光區(qū)一端的感光端和位于非感光區(qū)一端的冷端，感光端電極與感光端相連，冷端電極與冷端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)為三維狄拉克半金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：三維狄拉克半金屬為化合物HfTe5或化合物ZrTe5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述感光區(qū)的上表面設(shè)有抗反膜，所述感光區(qū)的下表面設(shè)有增反膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述感光區(qū)的感光面為黑化面，或者，感光區(qū)的感光面為磨砂面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述絕緣基底為具備電絕緣和/或熱絕緣的絕緣基底。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述冷端連接有熱沉基底；所述熱沉基底由導(dǎo)熱材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)厚度范圍為50nm-1μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述感光區(qū)與絕緣基底之間設(shè)有絕熱層和/或懸空層。

10.一種非制冷超寬光譜陣列探測(cè)器，其特征在于：由若干個(gè)權(quán)利要求1至9任一所述的非制冷超寬光譜光電轉(zhuǎn)換器集成或拼接而成，所述每個(gè)光電轉(zhuǎn)換工質(zhì)的感光區(qū)均位于同一平面上。