[實用新型]顯示母板、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202020218276.8 | 申請日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN211125656U | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 韓林宏;張毅;趙廣洲;張祎楊;楊玉清;劉庭良;于鵬飛;周洋;馬群;李錫平;秦世開;黃煒赟;龍躍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/544;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬;解婷婷 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 母板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示母板,其特征在于,所述顯示母板包括多個顯示基板區域和位于每個所述顯示基板區域周邊的切割區域;所述顯示母板包括:
設置在每個顯示基板區域的驅動結構層,以及設置在每個切割區域的標識結構層;所述標識結構層包括切割標識層;
設置在所述驅動結構層和標識結構層上的平坦化層,所述平坦化層覆蓋所述標識結構層。
2.根據權利要求1所述的顯示母板,其特征在于,所述驅動結構層包括第一源漏金屬層,所述標識結構層包括切割標識層,所述切割標識層與所述第一源漏金屬層同層設置。
3.根據權利要求2所述的顯示母板,其特征在于,所述驅動結構層還包括:設置在基底上的第一絕緣層,設置在所述第一絕緣層上的有源層,覆蓋所述有源層的第二絕緣層,設置在所述第二絕緣層上的第一柵金屬層,覆蓋所述第一柵金屬層的第三絕緣層,設置在所述第三絕緣層上的第二柵金屬層,覆蓋所述第二柵金屬層的第四絕緣層,所述第一源漏金屬層設置在所述第四絕緣層上;所述標識結構層還包括;在基底上疊設的第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層和第四絕緣層,所述切割標識層設置在所述第四絕緣層上。
4.根據權利要求3所述的顯示母板,其特征在于,還包括第五絕緣層;在所述顯示基板區域,所述第五絕緣層設置在所述驅動結構層上,在所述切割區域,所述第五絕緣層設置在所述標識結構層上,所述平坦化層設置在所述第五絕緣層上。
5.根據權利要求4所述的顯示母板,其特征在于,所述平坦化層包括設置在所述第五絕緣層上的第二平坦化層和設置在所述第二平坦化層上的像素定義層;在所述顯示基板區域,所述第二平坦化層與像素定義層之間還設置有陽極。
6.根據權利要求1所述的顯示母板,其特征在于,所述驅動結構層包括第二源漏金屬層,所述標識結構層包括切割標識層,所述切割標識層與所述第二源漏金屬層同層設置。
7.根據權利要求6所述的顯示母板,其特征在于,所述驅動結構層還包括:設置在基底上的第一絕緣層,設置在所述第一絕緣層上的有源層,覆蓋所述有源層的第二絕緣層,設置在所述第二絕緣層上的第一柵金屬層,覆蓋所述第一柵金屬層的第三絕緣層,設置在所述第三絕緣層上的第二柵金屬層,覆蓋所述第二柵金屬層的第四絕緣層,設置在所述第四絕緣層上的第一源漏金屬層,覆蓋所述第一源漏金屬層的第五絕緣層和第一平坦化層,所述第二源漏金屬層設置在所述第一平坦化層上;所述標識結構層還包括:在基底上疊設的第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、第四絕緣層、第五絕緣層和第一平坦化層,所述切割標識層設置在所述第一平坦化層上。
8.根據權利要求7所述的顯示母板,其特征在于,所述平坦化層包括覆蓋所述驅動結構層和標識結構層的第二平坦化層和設置在所述第二平坦化層上的像素定義層;在所述顯示基板區域,所述第二平坦化層與像素定義層之間還設置有陽極。
9.根據權利要求1~8任一項所述的顯示母板,其特征在于,還包括保護膜;在所述顯示基板區域,所述平坦化層上設置有封裝層,所述保護膜設置在所述封裝層上;在所述切割區域,所述保護膜設置在所述平坦化層上。
10.根據權利要求1~8任一項所述的顯示母板,其特征在于,所述切割區域的切割標識層包括多個切割標識,每個所述切割標識包括田字形排列的4個間隔的矩形圖案。
11.一種顯示基板,其特征在于,由如權利要求1~10中任一項所述的顯示母板沿著所述切割區域切割而形成。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求11所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





