[實(shí)用新型]適用于環(huán)路總線的短路隔離電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020204793.X | 申請(qǐng)日: | 2020-02-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN211018798U | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張明;馬學(xué)龍;焦煒杰;楊金權(quán);石方敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇潤(rùn)石科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/0175 | 分類號(hào): | H03K19/0175;H03K19/003;H03K19/007;H02H7/26 |
| 代理公司: | 無錫永樂唯勤專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 章陸一 |
| 地址: | 214125 江蘇省無錫市新*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 適用于 環(huán)路 總線 短路 隔離 電路 | ||
1.一種適用于環(huán)路總線的短路隔離電路,其特征是:包括NMOS管NM1,所述NMOS管NM1的柵極端與電阻R1的一端以及反相器的輸出端連接,NMOS管NM1的第一端與電阻R2的一端連接,NMOS管NM1的第二端與電阻R3的一端連接,電阻R2的另一端、電阻R1的另一端與比較器的反相端連接,電阻R3的另一端與比較器的同相端以及負(fù)載電路的電源VCC端連接,且所述比較器的電源端、反相器的電源端均與負(fù)載電路的電源VCC端連接;所述電阻R1的另一端、電阻R2的另一端以及比較器的反相端均與環(huán)路總線的電源線VIN連接,比較器的接地端、反相器的接地端以及負(fù)載電路的接地端均與環(huán)路總線的接地線GND連接;
所述電源線VIN的電壓高于NMOS管NM1的導(dǎo)通電壓時(shí),NMOS管NM1能處于導(dǎo)通狀態(tài),電源線VIN通過NMOS管NM1能對(duì)電源VCC端進(jìn)行充電,在負(fù)載電路的電源VCC端充電后,比較器、反相器能處于工作狀態(tài);
在比較器、反相器處于工作狀態(tài)后,通過比較器對(duì)電源線VIN的電壓與電源VCC端的電壓比較,在電源線VIN的電壓大于電源VCC端的電壓時(shí),NMOS管NM1保持導(dǎo)通狀態(tài),在電源線VIN的電壓低于電源VCC端的電壓時(shí),通過比較器、反相器能使得NMOS管NM1處于關(guān)斷狀態(tài);
在負(fù)載電路短路時(shí),通過反相器與NMOS管NM1的配合,能使得NMOS管NM1處于關(guān)斷狀態(tài),以關(guān)斷電源線VIN通過NMOS管NM1形成到地的通路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路,其特征是:還包括與NMOS管NM1配合的源漏選定電路,所述源漏選定電路與NMOS管NM1的第一端、NMOS管NM1的第二端連接;
在電源線VIN的電壓高于電源VCC端時(shí),通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第一端選定為漏極端,通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第二端選定為源極端;
在電源線VIN的電壓低于電源VCC端時(shí),通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第一端選定為源極端,通過源漏選定電路能使得NMOS管NM1的第二端選定為漏極端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路,其特征是:所述源漏選定電路包括二極管D1以及二極管D2,所述二極管D1的陽極端與二極管D2的陽極端以及NMOS管NM1的襯底連接,二極管D1的陰極端與NMOS管NM1的第一端連接,二極管D2的陰極端與NMOS管NM2的第二端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路,其特征是:所述比較器包括電阻R4、電阻R5、NMOS管NM2以及NMOS管NM3,電阻R4的一端與電阻R3的另一端以及電源VCC端連接,電阻R4的另一端與NMOS管NM3的柵極端連接,電阻R5的一端與電源線VIN、電阻R1的另一端以及電阻R2的另一端連接,電阻R5的另一端與NMOS管NM2的柵極端連接;
NMOS管NM2的襯底、NMOS管NN3的襯底均與接地線GND連接;NMOS管NM2的源極端、NMOS管NM3的源極端均與NMOS管NM5的漏極端連接,NMOS管NM5的柵極端與NMOS管NM4的柵極端、NMOS管NM6的柵極端以及NMOS管NM4的漏極端連接,NMOS管NM4的源極端、NMOS管NM5的源極端以及NMOS管NM6的源極端均與接地線GND連接;
NMOS管NM2的漏極端與PMOS管PM3的漏極端、PMOS管PM4的柵極端連接,NMOS管NM3的漏極端與PMOS管PM3的柵極端、PMOS管PM4的漏極端以及PMOS管PM5的柵極端連接,所述PMOS管PM3的源極端、PMOS管PM4的源極端以及PMOS管PM5的源極端均與電源VCC端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于環(huán)路總線的短路隔離電路,其特征是:還包括PMOS管PM1以及PMOS管PM2,所述PMOS管PM1的源極端、PMOS管PM2的源極端均與電源VCC端連接,PMOS管PM1的柵極端與PMOS管PM1的漏極端、NMOS管NM2的漏極端、PMOS管PM3的漏極端以及PMOS管PM4的柵極端連接,PMOS管PM2的柵極端與PMOS管PM2的漏極端、PMOS管PM3的柵極端、PMOS管PM4的漏極端以及PMOS管PM5的源極端連接。
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