[實用新型]LGA插座有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020174870.1 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN211208719U | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山田喜也;菊地宏司;伊東利育;高居陽介 | 申請(專利權(quán))人: | 山一電機株式會社 |
| 主分類號: | H01R12/71 | 分類號: | H01R12/71;H01R13/10;H01R13/24;H01R13/502;H01R13/652 |
| 代理公司: | 北京庚致知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人: | 李永虎;李偉波 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | lga 插座 | ||
1.一種LGA插座,其特征在于,具備:
中心基板,其由包括接地層的多層層結(jié)構(gòu)構(gòu)成,形成有多個通孔;
第1絕緣子,其配置在所述中心基板上表面所述多個通孔的周圍;
第2絕緣子,其配置在所述中心基板下表面所述多個通孔的周圍;以及
多對接觸件,其從所述通孔的上側(cè)以及下側(cè)插入所述通孔,經(jīng)由所述通孔進行焊錫而相互電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LGA插座,其特征在于,
所述接觸件具有本體部和從所述本體部的一端突出而插入所述通孔的插入部,
多對接觸件各自的一個接觸件和另一個接觸件的所述插入部具有壓接工藝構(gòu)造。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LGA插座,其特征在于,
所述接觸件具有本體部和從所述本體部的一端突出而插入所述通孔的插入部,
多對接觸件各自的一個接觸件和另一個接觸件的所述插入部具有向一側(cè)彎折延伸后翻折延伸到另一側(cè)的構(gòu)造。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LGA插座,其特征在于,
所述接觸件具有本體部和從所述本體部的一端突出而插入所述通孔的插入部,
多對接觸件各自的一個接觸件的所述插入部具有壓接工藝構(gòu)造,另一個接觸件的所述插入部具有向一側(cè)彎折延伸后翻折延伸到另一側(cè)的構(gòu)造。
5.根據(jù)權(quán)利要求2~4中任一項所述的LGA插座,其特征在于,
所述接觸件以鈹銅為母材形成,所述母材的表面被實施鍍鎳,所述鍍鎳的表面被實施鍍金,所述本體部和所述插入部的邊界部分剝離所述鍍金而露出鎳。
6.根據(jù)權(quán)利要求2~4中任一項所述的LGA插座,其特征在于,
所述接觸件以鈹銅為母材形成,所述母材的表面被實施鍍鎳,所述鍍鎳的表面被實施鍍金,在所述插入部中從所述本體部的一端突出的方向的中央部分,將鍍金剝離而露出鎳。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的LGA插座,其特征在于,
所述第1絕緣子呈設(shè)有開口的四邊框狀,在該四邊框的四個角落部,設(shè)有對與所述開口嵌合的部位施加內(nèi)朝向力的金屬彈簧,
在所述角落部存在具有凹部和大致L字狀支撐壁的保持部,所述凹部是使包括收納所述金屬彈簧的該四邊框的四個角落的大致L字狀的部分向外側(cè)凹陷而成,
在所述保持部上保持所述金屬彈簧。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的LGA插座,其特征在于,
所述第1絕緣子呈設(shè)有開口的四邊框狀,在該四邊框的至少一個角落部,設(shè)有對與所述開口嵌合的部位施加內(nèi)朝向力的第1按壓部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LGA插座,其特征在于,
所述第1按壓部包括作為按壓單元的第1彈簧部件和收納第1彈簧部件的第1收納部,所述第1彈簧部件被保持在第1支撐槽內(nèi),所述第1支撐槽由使包括所述角落部的所述四邊框的內(nèi)壁面的一部分從內(nèi)側(cè)向外側(cè)凹陷而成的第1凹部和沿著所述內(nèi)壁面立設(shè)的第1支撐壁形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LGA插座,其特征在于,
在所述四邊框的至少一個邊上,設(shè)有對與所述開口嵌合的部位施加內(nèi)朝向力的第2按壓部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LGA插座,其特征在于,
所述第2按壓部包括作為按壓單元的第2彈簧部件和收納第2彈簧部件的第2收納部,所述第2彈簧部件被保持在第2支撐槽內(nèi),所述第2支撐槽由使構(gòu)成所述四邊框的所述邊的內(nèi)壁面的一部分從內(nèi)側(cè)向外側(cè)凹陷而成的第2凹部和沿著所述內(nèi)壁面立設(shè)的第2支撐壁形成。
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