[實(shí)用新型]蒸鍍掩模、蒸鍍掩模裝置以及中間體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020146633.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN213232465U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 池永知加雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大日本印刷株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 鄧毅;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍掩模 裝置 以及 中間體 | ||
1.一種蒸鍍掩模,其特征在于,
所述蒸鍍掩模具備:
掩模主體;和
支承體,其接合于所述掩模主體,
所述掩模主體具有第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí),所述支承體具有第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí),
所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)和所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)被設(shè)置于在俯視時(shí)互相重合的位置,并且所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)和所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)中的任意一方比另一方大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模,其特征在于,
所述掩模主體具有形成有多個(gè)貫通孔的鍍層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模,其特征在于,
所述掩模主體具有互相層疊的金屬層和樹(shù)脂掩模。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模,其特征在于,
所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是形成于所述掩模主體的貫通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模,其特征在于,
所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是形成于所述支承體的貫通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模,其特征在于,
所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是凹陷至所述支承體的厚度方向中途的非貫通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模,其特征在于,
所述支承體包含:位于所述掩模主體側(cè)的第1支承基板;和位于所述第1支承基板上的第2支承基板,所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)包含:所述第1支承基板的第1部分;和所述第2支承基板的第2部分,所述第1部分在俯視時(shí)比所述第2部分小。
8.一種蒸鍍掩模裝置,其特征在于,
所述蒸鍍掩模裝置具備:
權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模;和
框架,其接合于所述蒸鍍掩模的支承體。
9.一種中間體,其特征在于,
所述中間體具備:
基材;
掩模主體,其接合于所述基材;以及
支承體,其接合于所述掩模主體,
所述掩模主體具有第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí),所述支承體具有第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí),
所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)和所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)被設(shè)置于在俯視時(shí)互相重合的位置,并且所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)和所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)中的任意一方比另一方大。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述掩模主體具有形成有多個(gè)貫通孔的鍍層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述掩模主體具有互相層疊的金屬層和樹(shù)脂掩模。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是形成于所述掩模主體的貫通孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述第1校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是形成于所述基材上的島狀的突起。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是形成于所述支承體的貫通孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)是凹陷至所述支承體的厚度方向中途的非貫通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中間體,其特征在于,
所述支承體包含:位于所述掩模主體側(cè)的第1支承基板;和位于所述第1支承基板上的第2支承基板,所述第2校準(zhǔn)標(biāo)識(shí)包含:所述第1支承基板的第1部分;和所述第2支承基板的第2部分,所述第1部分在俯視時(shí)比所述第2部分小。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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