[實用新型]壓敏電阻模塊

有效

• 申請號: 202020140266.7
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN211237856U
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 許榮輝
• 申請（專利權）人: 勝德國際研發股份有限公司
• 主分類號: H01C7/10
• 分類號: H01C7/10;H01C1/024;H01C1/14
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉彬

1.一種壓敏電阻模塊，其特征在于，所述壓敏電阻模塊包括：

一基座，具有一限位結構；

一殼體，所述基座與所述殼體組合形成一封閉空間，所述限位結構位于所述封閉空間內；

一壓敏電阻主體，包含：

兩個陶瓷芯片，位于所述封閉空間內，每個所述陶瓷芯片的兩側面分別具有一電極層，兩個所述陶瓷芯片相互貼合形成一芯片主體，所述芯片主體具有彼此為相鄰側邊的一第一側邊及一第二側邊；

一第一限位引腳，由所述芯片主體的所述第一側邊向外延伸至所述基座；及

一第二限位引腳，由所述芯片主體的所述第二側邊向外延伸至所述限位結構；其中，所述第二限位引腳具有一彎折段及連接所述彎折段的一插設段，所述第二限位引腳的所述彎折段與所述插設段形成有一參考面；以及

一第一金屬彈片與一第一焊接材料，所述第一金屬彈片設置于所述基座上，所述第一金屬彈片的一端穿出所述封閉空間，而另一端連接所述第二限位引腳的所述彎折段；其中，所述第一金屬彈片具有一第一延伸段及連接所述第一延伸段的一第一搭接段，所述第一延伸段與所述參考面彼此間隔不小于1毫米；所述第一搭接段由所述第一延伸段朝所述第二限位引腳的所述彎折段搭接，并通過所述壓敏電阻模塊的所述第一焊接材料固定；

其中，當所述第一金屬彈片受熱超過所述第一焊接材料的熔點溫度時，所述第一金屬彈片的所述第一搭接段與所述第二限位引腳的所述彎折段分離；其中，所述第一焊接材料的所述熔點溫度為攝氏100至200度。

2.依據權利要求1所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述壓敏電阻模塊還包括有一第二金屬彈片與一第二焊接材料，所述第二金屬彈片設置于所述基座上，所述第二金屬彈片的一端穿出所述封閉空間，而另一端連接所述芯片主體的一接觸側面；其中，所述第二金屬彈片具有一第二延伸段及連接所述第二延伸段的一第二搭接段，所述第二延伸段與所述芯片主體的所述接觸側面彼此間隔不小于1毫米，所述第二搭接段由所述第二延伸段朝所述芯片主體的所述接觸側面搭接，并通過所述第二焊接材料固定，所述第二焊接材料的熔點溫度為攝氏100至200度；當所述第二金屬彈片受熱超過所述第二焊接材料的所述熔點溫度時，所述第二金屬彈片的所述第二搭接段與所述芯片主體的所述接觸側面分離。

3.依據權利要求2所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述第一焊接材料及所述第二焊接材料為錫鉍合金。

4.依據權利要求2所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述第一金屬彈片及所述第二金屬彈片以埋入射出方式形成于所述基座上。

5.依據權利要求1所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，于兩個所述陶瓷芯片中，彼此最遠離的兩個所述電極層定義為一外電極層，而其他每個所述電極層定義為一內電極層；所述第二限位引腳由兩個所述陶瓷芯片的貼合處向外延伸，且所述第二限位引腳電性連接兩個所述陶瓷芯片的所述內電極層。

6.依據權利要求1所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述壓敏電阻模塊還包含有一連接片，所述連接片呈U字狀并具有兩個接觸段、連接兩個所述接觸段的一橫跨段、及設置于所述橫跨段上的一絕緣層，兩個所述接觸段連接位于所述芯片主體兩側面的兩個所述電極層，所述橫跨段位于所述芯片主體的所述第一側邊，所述絕緣層設置于所述橫跨段與所述第一側邊之間。

7.依據權利要求6所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述連接片還具有一穿伸段，所述穿伸段由其中一所述接觸段所延伸，且所述穿伸段穿出所述封閉空間。

8.依據權利要求1所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述芯片主體包覆一絕緣材料。

9.依據權利要求1所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述基座及所述殼體至少一個為陶瓷材料。

10.依據權利要求1所述的壓敏電阻模塊，其特征在于，所述封閉空間內之介質為空氣。