[實(shí)用新型]存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020139980.4
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN211182205U
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;童宇誠;呂前宏
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

位線組，形成在所述襯底上，所述位線組包括多條沿著預(yù)定方向延伸的位線，以及所述位線組中排布在最邊緣的位線構(gòu)成第一位線，其余的位線構(gòu)成第二位線，所述第一位線的寬度尺寸大于所述第二位線的寬度尺寸；

隔離層，覆蓋所述位線的頂表面，以及所述隔離層中覆蓋在所述第一位線上的部分構(gòu)成第一隔離部；以及，

多個節(jié)點(diǎn)接觸部，所述多個節(jié)點(diǎn)接觸部中的每一節(jié)點(diǎn)接觸部至少部分位于所述位線的一側(cè)，以及所述多個節(jié)點(diǎn)接觸部中排布在最邊緣的節(jié)點(diǎn)接觸部構(gòu)成第一接觸部，其余的節(jié)點(diǎn)接觸部構(gòu)成第二接觸部，所述第一接觸部還橫向延伸至所述第一隔離部上，以使所述第一接觸部的最大寬度尺寸大于所述第二接觸部的最大寬度尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一接觸部其部分位于所述第一位線靠近所述第二位線的一側(cè)，以使所述第一接觸部部分位于所述第一位線和緊鄰的第二位線之間，并且所述第一接觸部的頂部還往遠(yuǎn)離所述第二位線的方向延伸至所述第一隔離部上，以至少部分覆蓋所述第一隔離部。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述隔離層中覆蓋在所述第二位線上的部分構(gòu)成第二隔離部，以及所述第一隔離部中覆蓋于所述第一接觸部下方的部分的厚度大于所述第二隔離部的厚度。

4.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其特征在于，所述第二接觸部位于相鄰的第二位線之間，并且所述第二接觸部的頂表面高出于所述第二隔離部的頂表面；

以及，所述存儲器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層形成在所述隔離層上，其中所述間隔絕緣層中形成在第一隔離部上的部分構(gòu)成間隔側(cè)墻，所述間隔絕緣層中形成在第二隔離部上的部分構(gòu)成間隔填充部，所述間隔填充部形成在相鄰的節(jié)點(diǎn)接觸部之間。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述第一隔離部中被所述第一接觸部覆蓋的第一部分高出于所述第一隔離部中未被所述第一接觸部覆蓋的第二部分，以使所述第一部分的側(cè)壁和所述第二部分的頂表面連接而呈現(xiàn)為臺階狀結(jié)構(gòu)，以及所述間隔側(cè)墻形成在所述第二部分的頂表面上并覆蓋所述第一部分的側(cè)壁。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲器，其特征在于，在所述第一位線遠(yuǎn)離所述第二位線的一側(cè)還形成絕緣介質(zhì)層，所述隔離層還延伸覆蓋所述絕緣介質(zhì)層以構(gòu)成第三隔離部；

其中，所述第一隔離部的第一部分的頂部位置位于第一高度位置，所述第一隔離部的第二部分的頂部位置和所述第二隔離部的頂部位置均位于第二高度位置，以及所述第三隔離部的頂部位置位于第三高度位置，其中所述第一高度位置高于所述第二高度位置，所述第二高度位置高于所述第三高度位置。

7.如權(quán)利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述間隔絕緣層的材料包括氮化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述襯底中形成有多個有源區(qū)，以及所述位線組中的位線與所述多個有源區(qū)中對應(yīng)的有源區(qū)相交，所述多個節(jié)點(diǎn)接觸部中的節(jié)點(diǎn)接觸部形成在對應(yīng)的有源區(qū)上；

其中，所述多個有源區(qū)中排布在邊緣位置的有源區(qū)構(gòu)成第一有源區(qū)，所述位線組中的所述第一位線和所述第一有源區(qū)相交，以及所述多個節(jié)點(diǎn)接觸部中的至少部分第一接觸部形成在所述第一有源區(qū)上。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲器，其特征在于，所述第一接觸部包括絕緣接觸柱和第一電性傳導(dǎo)層，所述絕緣接觸柱形成在所述襯底上并和相接觸的有源區(qū)電性絕緣，所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋所述絕緣接觸柱的頂表面并延伸至所述第一隔離部。

10.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一位線的寬度尺寸大于所述第二位線的寬度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二位線的寬度尺寸的2倍。

11.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一接觸部的最大寬度尺寸大于所述第二接觸部的最大寬度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二接觸部的最大寬度尺寸的2倍。