[實(shí)用新型]原位退火裝置及單晶生長設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020135831.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN212476954U | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李海峰;吳思;夏俊超;朱英浩;周鵬飛;湯子康 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 澳門大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C30B33/02 | 分類號(hào): | C30B33/02;C30B13/00 |
| 代理公司: | 成都超凡明遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51258 | 代理人: | 王暉;劉書芝 |
| 地址: | 中國澳門*** | 國省代碼: | 澳門;82 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 原位 退火 裝置 生長 設(shè)備 | ||
1.一種原位退火裝置,其特征在于,包括:用于套設(shè)在單晶生長設(shè)備的護(hù)筒外的筒體以及與所述筒體連接的多個(gè)加熱部,所述加熱部用于對(duì)所述護(hù)筒內(nèi)的晶體加熱,所述多個(gè)加熱部沿所述筒體的軸向設(shè)置,且所述多個(gè)加熱部的加熱溫度逐漸降低;
多個(gè)所述加熱部設(shè)置在同一電阻加熱絲上的不同位置,所述電阻加熱絲繞所述筒體的軸線螺旋纏繞于所述筒體內(nèi);
所述電阻加熱絲的直徑沿所述筒體的軸向由上至下逐漸增大;
所述電阻加熱絲鑲嵌于所述筒體的內(nèi)壁;
所述電阻加熱絲的螺距沿所述筒體的軸向由上至下逐漸增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位退火裝置,其特征在于,所述筒體的上端設(shè)置于所述單晶生長設(shè)備中的熔區(qū)以下5-10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位退火裝置,其特征在于,所述筒體包括第一半筒以及第二半筒,所述第一半筒可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接于所述第二半筒;
所述第一半筒具有第一容納槽,所述第二半筒具有第二容納槽,所述第一半筒與所述第二半筒連接時(shí),所述第一容納槽和所述第二容納槽共同形成用于套設(shè)所述單晶生長設(shè)備的所述護(hù)筒的容納空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的原位退火裝置,其特征在于,所述原位退火裝置還包括多個(gè)合頁,所述第一半筒和所述第二半筒通過所述合頁連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的原位退火裝置,其特征在于,所述多個(gè)合頁沿所述筒體的軸向間隔設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的原位退火裝置,其特征在于,所述原位退火裝置還包括多個(gè)鎖扣,所述第一半筒和所述第二半筒通過所述鎖扣扣合,所述多個(gè)鎖扣沿所述筒體的軸向間隔設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的原位退火裝置,其特征在于,所述鎖扣包括母扣和子扣,所述母扣連接于所述第一半筒,所述子扣連接于所述第二半筒,所述第一半筒和所述第二半筒通過所述母扣和所述子扣扣合。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的原位退火裝置,其特征在于,所述筒體的外徑為d1,所述筒體的內(nèi)徑為d2;
110mm≤d1≤130mm;
60mm≤d2≤80mm。
9.一種單晶生長設(shè)備,其特征在于,包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的原位退火裝置。
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