[實用新型]基于CMOS圖像傳感的光柵波導微流體芯片

有效

• 申請號: 202020115986.8
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN212167472U
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 陳昌;劉博;王靖
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;G01N21/63
• 代理公司: 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331
• 代理人: 黃少波

1.一種基于CMOS圖像傳感的光柵波導微流體芯片，包括：光柵波導和微流道，其特征在于：所述光柵波導包括出射光柵，所述出射光柵位于所述微流道下方用以將光沿垂直方向向上導入所述微流道內，

還包括：依次由下而上設置的CMOS圖像傳感層、下包層、波導層、保護層和上包層；所述波導層是在25-150℃沉積溫度下形成的氮化硅材料，所述波導層用以形成所述光柵波導；所述保護層是二氧化硅材料，用以覆蓋所述光柵波導并保護所述出射光柵；

所述微流道貫穿所述上包層以暴露出所述保護層；

所述下包層是厚度為15～30μm的高分子聚合材料，所述上包層是厚度為15～30μm的高分子聚合材料，所述微流道寬度為10-100μm。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，若干個所述光柵波導相互平行，以將光導入所述微流道，所述光柵波導的寬度為300-600nm。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波導層的折射率為1.75-2.2。

4.根據權利要求1～3任一所述的芯片，其特征在于，所述波導層厚度為150nm-1000nm。

5.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，還包括氮化硅材料的入射光柵，以與所述光柵波導形成耦合光柵波導，將所述上包層上方的光導入所述光柵波導直至沿垂直方向向上導入所述微流道；所述保護層覆蓋并保護所述入射光柵。

6.根據權利要求5所述的芯片，其特征在于，包括若干個相互平行的所述耦合光柵波導。

7.根據權利要求5所述的芯片，其特征在于，所述波導層厚度為150nm-1000nm，所述耦合光柵波導的寬度為300-600nm。

8.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，還包括光纖，所述光纖與所述光柵波導光連接。

9.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高分子聚合材料是SU-8樹脂、聚酰亞胺、聚二甲基硅烷、聚乙烯或苯丙環丁烯。