[實(shí)用新型]一種磁標(biāo)記細(xì)胞載磁量分析的微流控芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020114779.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212669647U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁衛(wèi)平;張航;邱本勝;李士博;亞勝男 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C12M1/00 | 分類(lèi)號(hào): | C12M1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 紀(jì)志超 |
| 地址: | 230026 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 標(biāo)記 細(xì)胞 載磁量 分析 微流控 芯片 | ||
本實(shí)用新型提供了一種磁標(biāo)記細(xì)胞載磁量分析的微流控芯片,通過(guò)外加磁場(chǎng)將所述磁分選區(qū)內(nèi)的細(xì)胞懸浮液分別輸送至不同的出口通道,實(shí)現(xiàn)了磁分選,結(jié)合設(shè)置在玻璃基板層上的電極對(duì),當(dāng)經(jīng)過(guò)阻抗檢測(cè)區(qū)時(shí),磁標(biāo)記細(xì)胞會(huì)改變阻抗檢測(cè)區(qū)的阻抗,從而可以產(chǎn)生一個(gè)脈沖幅值,基于該脈沖幅值即可反應(yīng)磁標(biāo)記細(xì)胞的大小及數(shù)量。也就是說(shuō),該微流控芯片可連續(xù)高效的分選磁標(biāo)記細(xì)胞,并分析評(píng)估磁標(biāo)記細(xì)胞的載磁量和數(shù)量,分析分選后的高載磁細(xì)胞可以用于磁共振成像,并具有很好的成像效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及微流控技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種磁標(biāo)記細(xì)胞載磁量分析的微流控芯片。
背景技術(shù)
磁標(biāo)記細(xì)胞在體內(nèi)細(xì)胞失蹤和細(xì)胞治療中有著非常重要的作用,當(dāng)前對(duì)細(xì)胞進(jìn)行磁標(biāo)記的方法包括:直接孵育法、電穿孔法和聲穿孔法等。但是無(wú)論采用任何標(biāo)記方法,磁標(biāo)記細(xì)胞的載磁量都是影響失蹤和治療的重要指標(biāo),因此,需要有效的方法對(duì)不同載磁量的細(xì)胞進(jìn)行分析和分選。
那么,如何提供一種同時(shí)實(shí)現(xiàn)磁標(biāo)記細(xì)胞的分析和分選的微流控芯片是十分重要的。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,為解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種磁標(biāo)記細(xì)胞載磁量分析的微流控芯片,技術(shù)方案如下:
一種磁標(biāo)記細(xì)胞載磁量分析的微流控芯片,所述微流控芯片包括:微流控芯片層和玻璃基板層;
所述微流控芯片層上設(shè)置有細(xì)胞懸浮液入口、緩沖液入口、細(xì)胞懸浮液入口通道、緩沖液入口通道、磁分選區(qū)、多個(gè)出口通道和多個(gè)出口;
其中,細(xì)胞懸浮液通過(guò)所述細(xì)胞懸浮液入口和所述細(xì)胞懸浮液入口通道被輸送至所述磁分選區(qū);緩沖液通過(guò)所述緩沖液入口和所述緩沖液入口通道被輸送至所述磁分選區(qū);
通過(guò)外加磁場(chǎng)用于將所述磁分選區(qū)內(nèi)的細(xì)胞懸浮液分別輸送至不同的出口通道;
每個(gè)所述出口通道均具有阻抗檢測(cè)區(qū);
所述玻璃基板層上設(shè)置有多組電極對(duì),每一組所述電極對(duì)均具有第一電極端、第二電極端、第三電極端和第四電極端;
所述第一電極端和所述第二電極端通過(guò)電極導(dǎo)線(xiàn)連接,所述第三電極端和所述第四電極端通過(guò)另一電極導(dǎo)線(xiàn)連接;
所述第一電極端和所述第四電極端構(gòu)成外接電極,所述第二電極端和所述第三電極端之間存在間隙,所述間隙對(duì)應(yīng)所述阻抗檢測(cè)區(qū)。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述微流控芯片層為聚二甲基硅氧烷微流控芯片層。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述微流控芯片層的厚度為5mm-8mm;
所述玻璃基板層的厚度為1mm-2mm。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述微流控芯片層的長(zhǎng)度為6cm-8cm,寬度為4cm-6cm;
所述玻璃基板層的長(zhǎng)度為9cm-11cm,寬度為6cm-8cm。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述細(xì)胞懸浮液入口通道、所述緩沖液入口通道和所述磁分選區(qū)的高度為70μm-100μm。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述出口通道和所述阻抗檢測(cè)區(qū)域的高度為15μm-20μm。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述微流控芯片還包括:
設(shè)置在所述磁分選區(qū)內(nèi)的多個(gè)支撐圓柱體。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述支撐圓柱體的底面直徑為100μm-150μm。
優(yōu)選的,在上述微流控芯片中,所述微流控芯片還包括:
設(shè)置在所述微流控芯片層和所述玻璃基板層之間的PDMS混合甲苯薄膜;
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