[實(shí)用新型]一種雙位多靶離子束沉積裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020108027.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211771529U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王燕麗;王昕濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市鑫鈦極真空科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/46
• 分類號(hào): C23C14/46;C23C14/28;C23C14/50
• 代理公司: 東莞眾業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44371
• 代理人: 何恒韜

1.一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：包括機(jī)架、真空鍍膜室、激光器、主離子源、輔離子源、旋轉(zhuǎn)靶座和可加熱旋轉(zhuǎn)及前后移動(dòng)的基片架，所述真空鍍膜室裝設(shè)于機(jī)架上，所述主離子源、旋轉(zhuǎn)靶座和基片架均設(shè)于真空鍍膜室內(nèi)，所述基片架夾設(shè)有基片，所述主離子源、旋轉(zhuǎn)靶座和基片架的中心位于同一水平面上，所述主離子源和旋轉(zhuǎn)靶座均為兩個(gè)，兩旋轉(zhuǎn)靶座相互間隔設(shè)置，一個(gè)旋轉(zhuǎn)靶座上安裝有四種不同的靶材，所述基片架與兩旋轉(zhuǎn)靶座相對(duì)設(shè)置，并且所述基片架的中心線與兩旋轉(zhuǎn)靶座的中心線相互重疊，兩主離子源分設(shè)于基片架的兩側(cè)，一個(gè)主離子源的發(fā)射口對(duì)準(zhǔn)與之相近的一個(gè)旋轉(zhuǎn)靶座，所述輔離子源設(shè)置于真空鍍膜室的下方，所述輔離子源的發(fā)射口對(duì)準(zhǔn)基片，所述真空鍍膜室設(shè)有石英窗，所述激光器發(fā)出的激光束穿過(guò)石英窗射入靶材上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：所述主離子源的中心線與旋轉(zhuǎn)靶座的中心線所成角度為45°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：所述輔離子源的中心線與基片架的中心線所成角度為65°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：還包括驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)靶座旋轉(zhuǎn)的第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)于真空鍍膜室的上方，所述旋轉(zhuǎn)靶座與第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出端固定連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：還包括驅(qū)動(dòng)基片架轉(zhuǎn)動(dòng)的第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)安裝于真空鍍膜室的側(cè)向，所述基片架與第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出軸固定連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：所述基片架和第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)之間設(shè)有用于使基片架能前后伸縮的伸縮裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：所述基片架內(nèi)裝設(shè)有用于將基片加熱的加熱器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：還包括抽真空系統(tǒng)，所述抽真空系統(tǒng)包括機(jī)械泵和分子泵，所述機(jī)械泵用于對(duì)真空鍍膜室進(jìn)行粗抽，所述機(jī)械泵的進(jìn)氣口連通分子泵的出氣口；所述分子泵用于對(duì)真空鍍膜室進(jìn)行二級(jí)抽真空，所述分子泵的進(jìn)氣口連通真空鍍膜室的出氣口；所述分子泵和真空鍍膜室之間設(shè)置有閘板閥和用于測(cè)定真空鍍膜室內(nèi)真空度的真空計(jì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙位多靶離子束沉積裝置，其特征在于：所述真空鍍膜室設(shè)有用于向真空鍍膜室輸入氣體的進(jìn)氣接口。