[實(shí)用新型]一種真空鍍膜裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202020100530.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212983041U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申屠江民;王連彬;祝宇;龔陽(yáng);葉華輝 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江萊寶科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 |
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| 地址: | 321016 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空鍍膜 裝置 | ||
本實(shí)用新型提供一種真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜的腔體、磁鋼、靶材、中心加熱器與鍍膜小車(chē),所述腔體構(gòu)造出一立方體空間,所述靶材、中心加熱器與鍍膜小車(chē)均設(shè)置于所述立方體空間內(nèi),所述磁鋼設(shè)置于所述腔體的外壁上,所述靶材設(shè)置于所述腔體的內(nèi)壁的側(cè)壁上,所述靶材與磁鋼在腔體上的投影相對(duì)應(yīng)。所述中心加熱器懸掛于腔體內(nèi)壁的上壁上,所述鍍膜小車(chē)上搭載有基片,所述基片置于所述中心加熱器的一側(cè),并設(shè)置于所述靶材上方50?100mm的范圍內(nèi)。在所述腔體前段部分還設(shè)計(jì)有一保溫腔結(jié)構(gòu),所述保溫腔的溫度條件和所述被濺射鍍膜基片所處的溫度條件保持一致。使得整個(gè)基片的前端與后端濺射鍍膜的膜層厚度、膜層透光率、膜層熱穩(wěn)定性與方阻也保持一致。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于真空鍍膜領(lǐng)域,尤其涉及一種真空狀態(tài)下對(duì)真空鍍膜膜層性能調(diào)整的鍍膜裝置。
背景技術(shù)
真空鍍膜是平板顯示用透明導(dǎo)電玻璃制備的主流技術(shù),通過(guò)磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用,把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來(lái)增強(qiáng)惰性工藝氣體的電離效率,增加離子密度和能量,所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下轟擊靶面實(shí)現(xiàn)靶材的濺射,從而在基片上實(shí)現(xiàn)靶材的高速率成膜,被廣泛應(yīng)用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種材料的濺射成膜制備。
隨著平板顯示行業(yè)的發(fā)展和人類(lèi)生活水平的提高,人們對(duì)顯示技術(shù)和顯示產(chǎn)品的要求也不斷提高,平板顯示器件及相關(guān)零組件也不斷向輕、薄、節(jié)能、高精度等方向發(fā)展,對(duì)平板顯示器器件和相關(guān)零組件生產(chǎn)設(shè)備、產(chǎn)品的精度和性能要求也越來(lái)越高,因此對(duì)應(yīng)用于平板顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃的精度和性能要求也是越來(lái)越高,膜厚均勻性的精度控制就是其中重要的一個(gè)指標(biāo)。
如圖1所示,現(xiàn)有的真空鍍膜系統(tǒng),包括真空鍍膜的腔體4、磁鋼3、靶材2、中心加熱器8與鍍膜小車(chē)9,所述腔體4構(gòu)造出一立方體空間,所述靶材2、中心加熱器8與鍍膜小車(chē)9均設(shè)置于所述立方體空間內(nèi),所述磁鋼3設(shè)置于所述腔體4的外壁上,所述靶材2設(shè)置于所述腔體4的內(nèi)壁的側(cè)壁上,所述中心加熱器8懸掛于腔體4的上壁上,所述鍍膜小車(chē)9上搭載有基片5,所述基片5置于所述中心加熱器8的一側(cè)。
如圖2所示,磁控濺射鍍膜一般采用立式懸掛生產(chǎn),在成膜的過(guò)程中使用中心加熱器8連續(xù)進(jìn)行加熱,一直加熱到對(duì)應(yīng)最后一個(gè)濺射靶位,所述濺射鍍膜工序一般需要在200度以上溫度完成,所述鍍膜小車(chē)9沿X方向運(yùn)動(dòng)使得基板5完成濺射鍍膜工序。具體濺射鍍膜過(guò)程為位于X方向前段的基片5的前端部分先完成濺射鍍膜。然后位于X方向后段的基片5的后端再完成濺射鍍膜,在基片5的后端濺射鍍膜時(shí),基片5的前端已經(jīng)遠(yuǎn)離中心加熱器8,導(dǎo)致基片5的前端提前開(kāi)始降溫,使得整片基片5的降溫時(shí)間不一致,從而影響基片5整體的膜厚均勻性、膜層透光率、膜層熱穩(wěn)定性與膜層方阻一致性。
針對(duì)上述生產(chǎn)中存在的上述問(wèn)題,尤其是應(yīng)用于低電阻、高品質(zhì)ITO或者金屬靶材的鍍膜成膜工序中,膜層均勻性與膜層方阻一致性要求很高。很有必要設(shè)計(jì)一種真空鍍膜系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)對(duì)真空鍍膜均勻性進(jìn)行調(diào)整,保證透明導(dǎo)電玻璃鍍膜產(chǎn)品的膜厚均勻性、膜層透光率、膜層熱穩(wěn)定性與膜層方阻的一致性。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決真空鍍膜條件下,膜層厚度與方阻均勻性偏差的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種真空鍍膜工作條件下,可以滿(mǎn)足膜層厚度與方阻均勻性要求的真空鍍膜系統(tǒng)。
本發(fā)明提出一種真空鍍膜裝置,包括真空鍍膜的腔體、磁鋼、靶材、中心加熱器與鍍膜小車(chē),所述腔體構(gòu)造出一立方體空間,所述靶材、中心加熱器與鍍膜小車(chē)均設(shè)置于所述立方體空間內(nèi),所述磁鋼設(shè)置于所述腔體的外壁上,所述靶材設(shè)置于所述腔體的內(nèi)壁的側(cè)壁上,所述靶材與磁鋼在腔體上的投影相對(duì)應(yīng)。所述中心加熱器懸掛于腔體內(nèi)壁的上壁上,所述鍍膜小車(chē)上搭載有基片,所述基片置于所述中心加熱器的一側(cè),并設(shè)置于所述靶材上方50-100mm的范圍內(nèi)。
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C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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