[實用新型]一種陣列基板和顯示面板有效
| 申請號: | 202020099612.1 | 申請日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN211480028U | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 秦旭;侯亞輝;張露;胡思明;韓珍珍 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底;
多個像素單元,每個所述像素單元包括至少一薄膜晶體管組,每個所述薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,其中,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的有源層分別包括溝道區域、源區域和漏區域,所述第一薄膜晶體管的所述漏區域與所述第二薄膜晶體管的所述源區域連接在一起,從而使所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管連接在一起,且所述第一薄膜晶體管的所述漏區域和所述第二薄膜晶體管的所述源區域構成所述薄膜晶體管組的雙柵節點;
高電位電源電壓線;
其中,所述雙柵節點在所述襯底上的正投影至少部分位于所述高電位電源電壓線在所述襯底上的正投影中。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
多條掃描線,每個所述像素單元中的至少一所述薄膜晶體管組分別與至少一條對應的掃描線電連接;
所述對應的掃描線包括第一柵極部分和第二柵極部分,其中,所述第一柵極部分在所述襯底上的正投影至少部分位于所述第一薄膜晶體管的所述溝道區域在所述襯底上的正投影中,以使所述第一柵極部分作為所述第一薄膜晶體管的柵極;所述第二柵極部分在所述襯底上的正投影至少部分位于所述第二薄膜晶體管的所述溝道區域在所述襯底上的正投影中,以使所述第二柵極部分作為所述第二薄膜晶體管的柵極,從而使所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的柵極連接在同一條掃描線上。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,
每個所述像素單元包括第一薄膜晶體管組,所述第一薄膜晶體管組的有源層進一步直接連接參考電壓線和所述像素單元的驅動薄膜晶體管的柵極,從而利用所述第一薄膜晶體管組的開或關控制參考電壓初始化像素電路的柵極。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,
所述第一薄膜晶體管組的有源層與所述參考電壓線的連接點位于所述第一薄膜晶體管組的左側;或
所述第一薄膜晶體管組的有源層與所述參考電壓線的連接點位于所述第一薄膜晶體管組的右側。
5.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括層疊設置在所述有源層上的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層,所述高電位電源電壓線位于所述第三金屬層中,所述陣列基板還包括:
參考電壓連接線,位于所述第三金屬層中,并通過第一過孔與所述參考電壓線電連接,通過第二過孔與所述第一薄膜晶體管組的有源層電連接;
多條數據線,位于所述第三金屬層中,每個所述像素單元與至少一條對應的數據線電連接;
所述參考電壓連接線鄰近所述數據線設置,且所述參考電壓連接線到所述數據線的距離不小于閾值,所述閾值為所述參考電壓連接線與所述數據線不發生短路的最小距離。
6.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,
每個所述像素單元還包括第二薄膜晶體管組,所述第二薄膜晶體管組的有源層與所述第一薄膜晶體管組的有源層相連接,同時所述第二薄膜晶體管組的有源層進一步直接連接存儲電容的電極板,所述第二薄膜晶體管組中也包括一雙柵節點,所述第一薄膜晶體管組和所述第二薄膜晶體管組的所述雙柵節點在所述襯底上的正投影均位于所述高電位電源電壓線在所述襯底上的正投影中。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,
所述參考電壓線在所述襯底上的正投影位于所述第一薄膜晶體管組所對應的掃描線在所述襯底上的正投影與所述第二薄膜晶體管組所對應的掃描線在所述襯底上的正投影之間。
8.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板的有源層進一步直接與上一行像素單元的發光器件的陽極電連接,
所述有源層與上一行像素單元的發光器件的陽極的連接點位于所述第一薄膜晶體管組的左側;或
所述有源層與上一行像素單元的發光器件的陽極的連接點位于所述第一薄膜晶體管組的右側。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述高電位電源電壓線呈S型。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括發光器件及如權利要求1-9任一項所述的陣列基板,所述陣列基板用于為所述發光器件提供驅動電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





