[實用新型]抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈

有效

• 申請號: 202020077090.5
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN211698150U
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 朱永紅
• 申請（專利權）人: 湖南省永逸科技有限公司
• 主分類號: G01R33/12
• 分類號: G01R33/12
• 代理公司: 長沙智嶸專利代理事務所(普通合伙) 43211
• 代理人: 劉宏

1.一種抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

包括第一亥姆霍茲線圈(1)和第二亥姆霍茲線圈(2)，所述第一亥姆霍茲線圈(1)固定安裝在第二亥姆霍茲線圈(2)中，兩者的幾何中心和軸線均重合，所述第一亥姆霍茲線圈(1)和第二亥姆霍茲線圈(2)反向串聯，且兩者的展開面積相等。

2.如權利要求1所述的抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

所述第一亥姆霍茲線圈(1)包括第一線圈框架(11)和周向套設在第一線圈框架(11)上的第一對線圈，所述第二亥姆霍茲線圈(2)包括第二線圈框架(12)和周向套設在第二線圈框架(12)上的第二對線圈，所述第二線圈框架(12)的頂端中部鏤空，所述第二線圈框架(12)的底端設置有安裝板(13)，所述第一線圈框架(11)固定安裝在所述安裝板(13)上且位于所述第二線圈框架(12)的內部，且所述第一對線圈和第二對線圈反向串聯。

3.如權利要求1所述的抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

所述第一亥姆霍茲線圈(1)的線圈總匝數為N1，線圈的單匝平均面積為S1，所述第二亥姆霍茲線圈(2)的線圈總匝數為N2，線圈的單匝平均面積為S2，N1*S1＝N2*S2。

4.如權利要求3所述的抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

所述第一亥姆霍茲線圈(1)的有效半徑為R1，所述第二亥姆霍茲線圈(2)的有效半徑為R2，N1/N2＝4，R1/R2＝1/2。

5.如權利要求4所述的抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

所述第一亥姆霍茲線圈(1)的線圈匝數為2580匝，有效半徑為75mm，所述第二亥姆霍茲線圈(2)的線圈匝數為645匝，有效半徑為150mm。

6.如權利要求2所述的抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

所述第一亥姆霍茲線圈(1)和第二亥姆霍茲線圈(2)均為標準的一維亥姆霍茲線圈。

7.如權利要求2所述的抗遠端磁場波動干擾的亥姆霍茲磁矩測試線圈，其特征在于，

所述第一對線圈和第二對線圈的形狀為圓形或者方形。