[實(shí)用新型]基于硅芯重新分相的72對(duì)棒多晶硅還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020070217.0
• 申請(qǐng)日: 2020-01-13
• 公開（公告）號(hào): CN211946287U
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃勇;簡(jiǎn)鳳麟;趙小飛;賈彥定;朱攀峰;柴璐斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新疆東方希望新能源有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 管高峰

本實(shí)用新型公開了一種基于硅芯重新分相的72對(duì)棒多晶硅還原爐，包括72對(duì)硅芯，72對(duì)硅芯設(shè)置為8組，每組中的硅芯串聯(lián)連接；8組硅芯在還原爐底盤上按同心圓布置形成6個(gè)分布圓，最外層為第一分布圓，向內(nèi)依次遞增；第一組共10對(duì)硅芯和第二組共11對(duì)硅芯設(shè)置于第一分布圓上，第三組共13對(duì)硅芯和第四組共5對(duì)硅芯設(shè)置于第二分布圓上，第五組共10對(duì)硅芯和第六組共5對(duì)硅芯設(shè)置于第三分布圓上，第七組共9對(duì)硅芯設(shè)置于第四分布圓上，第八組的6對(duì)硅芯設(shè)置于第五分布圓上，3對(duì)硅芯設(shè)置于第六分布圓上。本實(shí)用新型將72對(duì)硅芯重新分相以減少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的電流，為其提供同強(qiáng)度的熱量，以保證還原爐熱場(chǎng)分布均衡，便于工藝控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及多晶硅還原爐技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于硅芯重新分相的72對(duì)棒多晶硅還原爐。

背景技術(shù)

自改良西門子法進(jìn)入國(guó)內(nèi)以來，氣相沉積反應(yīng)器(還原爐)在國(guó)也開始了不斷地改良優(yōu)化，爐型從剛開始的9對(duì)棒到現(xiàn)在的72對(duì)棒甚至更大，不止是爐型在不斷地創(chuàng)新，爐底盤的電極排列方式為了達(dá)到更理想的效果也在不斷地優(yōu)化改進(jìn)，如正三角形、正六邊形等等，但是對(duì)于現(xiàn)在我們所追求的大爐型，比如72對(duì)棒還原爐，采用現(xiàn)在常規(guī)的爐底盤電極分布方式(72對(duì)硅芯分為6組，每組12對(duì)，6圈布局，但硅芯跨圈布局)，以及傳統(tǒng)的還原電源供電(六相電源供電)，在爐底盤規(guī)則分相的情況下，始終會(huì)造成同一相的多晶硅負(fù)載不在同一圈，多晶硅還原爐電源系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)，生長(zhǎng)中的多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量受爐內(nèi)溫度影響很大，多晶硅負(fù)載不在同一圈時(shí)，同一相負(fù)載施加的電流產(chǎn)生的熱量會(huì)為爐內(nèi)同一圈多晶硅負(fù)載提供不同強(qiáng)度的熱量，會(huì)導(dǎo)致爐內(nèi)熱場(chǎng)不均衡，不便于工藝控制。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了解決上述問題，本實(shí)用新型提出一種基于硅芯重新分相的72對(duì)棒多晶硅還原爐，將72對(duì)硅芯重新分相以減少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的電流，為爐內(nèi)同一圈硅芯提供同強(qiáng)度的熱量，以保證還原爐熱場(chǎng)分布均衡，以便于工藝控制，具體技術(shù)方案如下：

一種基于硅芯重新分相的72對(duì)棒多晶硅還原爐，包括72對(duì)硅芯，所述72對(duì)硅芯設(shè)置為8組，每組中的硅芯串聯(lián)連接；所述8組硅芯在還原爐底盤上按同心圓布置形成6個(gè)分布圓，最外層為第一分布圓，向內(nèi)依次遞增；第一組共10對(duì)硅芯和第二組共11對(duì)硅芯設(shè)置于第一分布圓上，第三組共13對(duì)硅芯和第四組共5對(duì)硅芯設(shè)置于第二分布圓上，第五組共10對(duì)硅芯和第六組共5對(duì)硅芯設(shè)置于第三分布圓上，第七組共9對(duì)硅芯設(shè)置于第四分布圓上，第八組共9對(duì)硅芯，其中6對(duì)硅芯設(shè)置于第五分布圓上，另外3對(duì)硅芯設(shè)置于第六分布圓上。

進(jìn)一步的，還包括多個(gè)高壓擊穿柜，所述多個(gè)高壓擊穿柜與硅芯電連接并向硅芯加載電壓以進(jìn)行擊穿和維持。

進(jìn)一步的，所述高壓擊穿柜向同一組中的硅芯加載相同的擊穿電壓或維持電壓。

進(jìn)一步的，還包括功率控制柜，所述功率控制柜與硅芯電連接，在每組硅芯被擊穿后以恒定電流加熱該組硅芯。

本實(shí)用新型的有益效果在于：

本實(shí)用新型將72對(duì)硅芯重新分相以減少跨圈，使傳統(tǒng)的多處跨圈降低至1處，并在同一圈硅芯施加相同的電流，為爐內(nèi)同一圈硅芯提供同強(qiáng)度的熱量，以保證還原爐熱場(chǎng)分布均衡，便于工藝控制。同時(shí)，可減少運(yùn)行中熱場(chǎng)突變導(dǎo)致的缺相和異常，延長(zhǎng)正常生長(zhǎng)周期，增加產(chǎn)能目標(biāo)。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的72對(duì)硅芯的電極布置圖；

附圖標(biāo)記：A1-第一組硅芯，B1-第三組硅芯，C1-第二組硅芯，D1-第四組硅芯，A2-第七組硅芯，B2-第五組硅芯，C2-第八組硅芯，D2-第六組硅芯；L-火線，N-零線。

具體實(shí)施方式