[實用新型]一種可調式磁場裝置

有效

• 申請號: 202020046677.X
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN212025446U
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 毛念新;黃翔鄂;嚴仲君
• 申請（專利權）人: 上海嘉森真空科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14;C23C14/06
• 代理公司: 上海三方專利事務所(普通合伙) 31127
• 代理人: 吳瑋

本實用新型涉及真空鍍膜技術領域，具體來說是一種可調式磁場裝置，包括冷卻塊、磁鐵支架、磁鐵蓋板、圓形磁鐵和磁控固定板，其特征在于：所述冷卻塊由槽形內框體組成，所述冷卻塊內部設有磁鐵支架，所述磁鐵支架內部設有若干圓形磁鐵，所述磁鐵支架上端設有磁鐵蓋板，所述磁鐵蓋板上端設有磁控固定板，磁鐵支架與磁控固定板采用輕便的材質使得整體更換與調節更為方便，且鋁材與塑料也杜絕了生銹帶來的各種問題，通過改動圓形磁鐵的數量來改變每個電磁場方向和磁通量的大小，從而提高了沉積速度，增加了鍍膜的穩定性，滿足了工藝穩定等問題，使得鍍膜的厚度更加均勻，本實用新型不但提高了靶材的利用率，降低了設備的投入成本。

技術領域

本實用新型涉及真空鍍膜技術領域，具體來說是一種可調式磁場裝置。

背景技術

磁控濺射屬于物理氣相沉積技術，相對于電弧離子鍍技術，磁控濺射受磁場布置方式的影響，其濺射速率和濺射區域隨磁場變化都有很大變化，目前，磁控濺射由于其沉積溫度低、制備的薄膜表面光滑、結合力高等優勢，在光學鍍膜、醫學鍍膜、汽車零部件及其他機械零部件表面鍍膜領域被廣泛應用。

現有的磁控濺射陰極一般包括磁軛、磁鐵、靶面和陽極組成，傳統的磁鐵布置通常為3列磁鐵間隔布置于磁軛上，外部磁場和中新磁場呈反方向排列形成閉合磁場，當有外加電場時，電場和磁場形成正交場，電子被約束在磁場附近，形成高的等離子離化區域，將靶材料濺射出來，正離子被推出濺射區域，在工件附近形成薄膜。

但是，在直流磁控濺射中，半導體WLP先進封裝技術中需要使用磁控濺射機臺進行wafer表面進行Ti和Cu的真空鍍膜，其中陰極靶材背面安裝的磁通管的磁場分布影響了膜厚的均勻性，由于磁通管內的磁場分布已經固定，無法改變磁場的方向和調節磁鐵的磁通量大小，從而導致鍍膜時的沉積速率低和工藝不穩定等問題，這些已經為目前急需要解決的問題之一。

實用新型內容

本實用新型的目的在于解決現有技術的不足，提供一種可調式磁場裝置。

為了實現上述目的，設計一種可調式磁場裝置，包括冷卻塊、磁鐵支架、磁鐵蓋板、圓形磁鐵和磁控固定板，其特征在于：所述冷卻塊由槽形內框體組成，所述冷卻塊內部設有磁鐵支架，所述磁鐵支架內部設有若干圓形磁鐵，所述磁鐵支架上端設有磁鐵蓋板，所述磁鐵蓋板上端設有磁控固定板。

進一步的，所述冷卻塊包括進水口、出水口、第一氣密密封槽、第二氣密密封槽、水槽、抽氣孔、中心磁鐵支架槽、第一長條磁鐵支架槽、第二長條磁鐵支架和端部磁鐵支架槽，所述冷卻塊內框中心位置設有中心磁鐵支架槽，所述中心磁鐵支架槽上下兩側分別設有第一長條磁鐵支架槽與第二長條磁鐵支架，所述中心磁鐵支架槽左側設有進水口，所述中心磁鐵支架槽右側設有出水口，所述進水口與出水口外側設有端部磁鐵支架槽，所述冷卻塊正反兩面邊緣分別設有第一氣密密封槽與第二氣密密封槽，所述冷卻塊反面第二氣密密封槽內圈設有水槽，所述冷卻塊四周均勻分布若干抽氣孔。

進一步的，所述磁鐵支架包括中心磁鐵支架、第一長條磁鐵支架、第二長條磁鐵支架和端部磁鐵支架，所述中心磁鐵支架設于中心磁鐵支架槽上端，所述第一長條磁鐵支架設于第一長條磁鐵支架槽上端，所述第二長條磁鐵支架設于第二長條磁鐵支架槽上端。

進一步的，所述圓形磁鐵每五塊組成一個陰極。

進一步的，所述磁控固定板為POM材質。

進一步的，所述磁鐵蓋板為SS400材質

進一步的，所述冷卻塊為316L材質。

進一步的，所述磁鐵支架為A6082材質。