[實用新型]基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020046411.5
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN210985971U
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 譚協(xié)初;張金賀;權麗娜;袁康
• 申請（專利權）人: 濟南拉斐葉電力科技有限公司
• 主分類號: H02P13/00
• 分類號: H02P13/00;H02J3/38
• 代理公司: 北京細軟智谷知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11471
• 代理人: 葛鐘

1.一種基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，包括：變壓器、可控硅組件、防誤觸模塊以及控制電路，所述變壓器、可控硅組件分別與所述控制電路連接；

所述變壓器用于變換線路中電壓并輸出電壓信號；

所述可控硅組件用于根據(jù)電壓信號對可控硅單體進行導通；

所述防誤觸模塊用于使得電壓處于所述可控硅組件的工作電壓；

所述控制電路用于根據(jù)電壓信號控制可控硅組件以導通回路。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述變壓器包括：

一次側線圈、二次側線圈，所述一次側線圈包括第一觸頭和第二觸頭，所述二次側線圈串聯(lián)于線路中。

3.根據(jù)權利要求2所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述可控硅組件包括：

第一可控硅單體、第二可控硅單體、第三可控硅單體以及第四可控硅單體；

所述第二可控硅單體與第一可控硅單體并聯(lián)、所述第三可控硅單體與第四可控硅單體并聯(lián)后與所述變壓器的一次側線圈串聯(lián)。

4.根據(jù)權利要求3所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述防誤觸模塊包括：

第一電阻和電子開關，

所述第一電阻與所述電子開關串聯(lián)后與所述變壓器的一次側線圈并聯(lián)。

5.根據(jù)權利要求4所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述防誤觸模塊還包括：

第二電阻和第三電阻，

所述第二電阻的一端連接所述第一觸頭，另一端連接電位恒定點；

所述第三電阻的一端連接所述第二觸頭，另一端連接電位恒定點。

6.根據(jù)權利要求5所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述防誤觸模塊還包括：

第四電阻和壓敏電阻；

所述第四電阻和壓敏電阻串聯(lián)后并聯(lián)在所述變壓器的一次側線圈上。

7.根據(jù)權利要求1-6任一項所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，所述控制電路包括：

中央處理器，用于根據(jù)所述變壓器輸出的電壓信號控制可控硅組件以導通回路。

8.根據(jù)權利要求1所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，

所述變壓器為補償變壓器。

9.根據(jù)權利要求1所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，

所述控制電路的主干路上連接單級斷路器。

10.根據(jù)權利要求7所述的基于電力電子補償變電站防可控硅誤觸發(fā)系統(tǒng)，其特征在于，

所述中央處理器采用芯片DSP TMS320-F28335。