[實(shí)用新型]電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020036438.6
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN211208251U
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸斌;沈健
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G4/30
• 分類號(hào): H01G4/30;H01G4/005;H01G4/232;H01G4/08
• 代理公司: 北京龍雙利達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11329
• 代理人: 徐勇勇;孫濤

本申請實(shí)施例提供一種電容器，能夠制備低成本電容器，電容器包括：至少一個(gè)疊層結(jié)構(gòu)，疊層結(jié)構(gòu)包括n層導(dǎo)電層和m層電介質(zhì)層，n層導(dǎo)電層和m層電介質(zhì)層形成導(dǎo)電層與電介質(zhì)層彼此相鄰的結(jié)構(gòu)，該n層導(dǎo)電層中的所有奇數(shù)層導(dǎo)電層形成至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)，該n層導(dǎo)電層中的所有偶數(shù)層導(dǎo)電層形成至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)，m、n為正整數(shù)，且m≥2和/或n≥2；至少一個(gè)第一外接電極，通過第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面電連接至該n層導(dǎo)電層中的部分或者全部奇數(shù)層導(dǎo)電層；至少一個(gè)第二外接電極，通過第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面電連接至該n層導(dǎo)電層中的部分或者全部偶數(shù)層導(dǎo)電層。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電容器領(lǐng)域，并且更具體地，涉及一種電容器。

背景技術(shù)

電容器在電路中可以起到旁路、濾波、去耦等作用，是保證電路正常運(yùn)轉(zhuǎn)的不可或缺的一部分。為了提高電容器的容值密度，通?？梢曰诟呱顚挶鹊娜S結(jié)構(gòu)制備硅電容。然而，高深寬比的三維結(jié)構(gòu)本身的加工難度較大，而且在此三維結(jié)構(gòu)上制作共形的、厚度均勻且沒有缺陷的導(dǎo)電層、電介質(zhì)層也需要極高的工藝水準(zhǔn)。如何制備小體積、高容量、低成本的電容器，成為一個(gè)亟待解決的技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請實(shí)施例提供一種電容器及其制作方法，能夠在制備小體積、高容值密度的電容器的同時(shí)降低電容器的成本。

第一方面，提供了一種電容器，所述電容器包括：

至少一個(gè)疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括n層導(dǎo)電層和m層電介質(zhì)層，所述n層導(dǎo)電層和所述m層電介質(zhì)層形成導(dǎo)電層與電介質(zhì)層彼此相鄰的結(jié)構(gòu)，并且所述n層導(dǎo)電層中的所有奇數(shù)層導(dǎo)電層形成至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所述n層導(dǎo)電層中的所有偶數(shù)層導(dǎo)電層形成至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)，m、n為正整數(shù)；

至少一個(gè)第一外接電極，所述第一外接電極通過所述至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面電連接至所述n層導(dǎo)電層中的部分或者全部奇數(shù)層導(dǎo)電層；

至少一個(gè)第二外接電極，所述第二外接電極通過所述至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面電連接至所述n層導(dǎo)電層中的部分或者全部偶數(shù)層導(dǎo)電層。

在本申請實(shí)施例中，疊層結(jié)構(gòu)形成有至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)，以露出n層導(dǎo)電層中的所有奇數(shù)層導(dǎo)電層，且疊層結(jié)構(gòu)形成有至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)，以露出n層導(dǎo)電層中的所有偶數(shù)層導(dǎo)電層，第一外接電極通過至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面電連接至n層導(dǎo)電層中的部分或者全部奇數(shù)層導(dǎo)電層，第二外接電極通過至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面電連接至n層導(dǎo)電層中的部分或者全部偶數(shù)層導(dǎo)電層，從而能夠制備三維硅電容器，能夠在制備小體積、高容值密度的電容器的同時(shí)降低電容器的成本。

進(jìn)一步地，能夠在平坦的襯底表面制作疊層結(jié)構(gòu)，并利用光刻膠修整工藝使疊層結(jié)構(gòu)上形成至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)，避免了由于制備3D結(jié)構(gòu)相關(guān)的刻蝕、沉積等昂貴工藝，并且通過光刻膠修整工藝有效減少了光刻次數(shù)，降低了電容器的成本。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)與所述至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)分別位于所述疊層結(jié)構(gòu)的不同側(cè)。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)與所述至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)位于所述疊層結(jié)構(gòu)的同一側(cè)。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述電容器還包括襯底，所述至少一個(gè)疊層結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述襯底的上方。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述n層導(dǎo)電層中，與所述襯底的距離越小，在所述襯底上的投影面積越大。

在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述電容器還包括：第一導(dǎo)電材料層和第二導(dǎo)電材料層，

其中，所述第一導(dǎo)電材料層通過所述至少一個(gè)第一臺(tái)階結(jié)構(gòu)的部分或者全部臺(tái)階面電連接所述n層導(dǎo)電層中的部分或者全部奇數(shù)層導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電材料層通過所述至少一個(gè)第二臺(tái)階結(jié)構(gòu)的部分或者全部臺(tái)階面電連接所述n層導(dǎo)電層中的部分或者全部偶數(shù)層導(dǎo)電層。