[實用新型]線盤IGBT并聯(lián)均流電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020025925.2 | 申請日: | 2020-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN211127570U | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊傳全;李瑞鑫 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東海明暉電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/32 | 分類號: | H02M1/32;H02M1/088;H05B6/06 |
| 代理公司: | 北京商專潤文專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 朱棟梁 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市順德區(qū)容桂容里昌寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線盤 igbt 并聯(lián) 流電 | ||
1.線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,包括加熱線盤、IGBT串并聯(lián)電路組成,所述加熱線盤至少由2組以上線盤線圈組成,每組線盤線圈的匝數(shù)均相同,所述IGBT串并聯(lián)電路是由多組IGBT工作組構(gòu)成的并聯(lián)電路,IGBT工作組的數(shù)量和線盤線圈的數(shù)量相對應(yīng),每組所述IGBT工作組包括上橋臂IGBT和下橋臂IGBT,每組IGBT工作組中的上橋臂IGBT的發(fā)射極E端分別與其對應(yīng)的下橋臂IGBT的集電極C端串聯(lián)連接,每個所述上橋臂IGBT的發(fā)射極E端均分別與其對應(yīng)的線盤線圈的輸出端連接,所述加熱線盤分別與上橋臂IGBT和下橋臂IGBT形成震蕩回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,還包括對輸入電流進行檢測的輸出電流檢測電路,所述輸出電流檢測電路通過加熱線盤與所述IGBT串并聯(lián)電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,所述的上橋臂IGBT并聯(lián)有吸收電容C1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,輸出電流檢測電路為交流互感器T1,交流互感器T1包括初級線圈和次級線圈,所述初級線圈串聯(lián)在加熱線盤的回路中,每組線盤線圈的輸入端相連后與所述交流互感器T1初級線圈的一端連接,所述交流互感器T1初級線圈的另一端通過吸收電容C1和每個所述上橋臂IGBT的集電極C端連接,所述交流互感器T1的次級線圈一端接地,另一端接高頻的電流信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,所述交流互感器T1的初級線圈的兩端之間連接有取樣電阻R1。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,所述交流互感器T1的次級線圈與電容C1連接的一端連接有電容C2,所述電容C2的另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,每個所述下橋臂IGBT的發(fā)射極E端均接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,每個上橋臂IGBT和下橋臂IGBT的門級G端均通過連接電阻R5連接到對應(yīng)的橋臂驅(qū)動電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述線盤IGBT并聯(lián)均流電路,其特征在于,所述加熱線盤由三組線盤線圈組成,三組線盤線圈分別通過線盤端子A、B、C與對應(yīng)的每組IGBT工作組的上橋臂IGBT的發(fā)射極E端對應(yīng)連接。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





