[實用新型]一種單晶爐

有效

• 申請號: 202020025576.4
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN211999984U
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 韓慶輝;劉國勇;陳越勇
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能越南有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 陳怡

本實用新型公開一種單晶爐，其包括導流熱屏、套設于導流熱屏外的保溫件、環設于兩者之間的間隔件，導流熱屏為兩端開口的筒狀結構，其進氣端包括向保溫件翻折形成的環形上檐，環形上檐包括設于其外側面的環形倒階梯結構；保溫件包括設于其內側面的環形階梯結構；間隔件包括與環形階梯結構貼合的第一配合面以及與環形倒階梯結構配合的第二配合面，該單晶爐通過優化導流熱屏及保溫件的結構，構造成相對設置的環形階梯結構以及環形倒階梯結構，并在兩者之間設置與兩者均配接的間隔件，如此可避免導流熱屏與保溫件之間形成縫隙而造成熱量損失，從而降低維持單晶爐內硅液熔融狀態時的功率及能耗，同時通過設置間隔件可為導流熱屏提供定位、導向作用。

技術領域

本實用新型涉及單晶爐技術領域，特別涉及一種單晶爐。

背景技術

單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。單晶直徑在生長過程中，溫度主要決定能否成晶。溫度分布合適的熱場，不僅單晶生長順利，而且品質較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長單晶的過程中容易產生各種缺陷，影響質量，情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。

現有的大部分單晶爐中，導流熱屏與上保溫氈采用并列型接觸結構，兩者之間形成的一定尺寸的縫隙，從而在單晶生長過程中，容易導致大量熱能從縫隙中輻射出去，不僅使單晶生長爐內溫度分布不均，還將導致單晶爐功率升高，耗能增大。并且，保溫氈多采用碳素纖維材質制成，當保溫氈與導流熱屏接觸或產生摩擦時，碳素纖維顆粒易脫落落入單晶爐內，影響晶體生長，從而影響產能。

實用新型內容

為了解決現有技術的問題，本實用新型提供了一種單晶爐，其能有效防止單晶爐工作時的熱量損失。

為解決上述技術問題，本實用新型提出如下技術方案：

一種單晶爐，其包括導流熱屏、套設于所述導流熱屏外的保溫件、環設于所述導流熱屏及保溫件之間的間隔件，其中：

所述導流熱屏為兩端開口的筒狀結構，其包括設于其一端的進氣端以及設于其另一端的出氣端，所述進氣端包括向所述保溫件翻折形成的環形上檐，所述環形上檐包括設于其外側面的環形倒階梯型結構；

所述保溫件包括設于其內側面的環形階梯結構；

所述間隔件包括與所述環形階梯結構貼合的第一配合面以及與所述環形倒階梯結構配合的第二配合面。

在一些較佳的實施方式中，所述環形階梯結構的最小直徑小于所述環形倒階梯結構的最大直徑。

在一些較佳的實施方式中，所述導流熱屏包括由外向內依次設置的外導流筒、內導流筒以及設于所述外導流筒與內導流筒配合形成的密封腔體內的保溫氈，且所述外導流筒、保溫氈及內導流筒的上端均外翻以形成所述環形上檐。

在一些較佳的實施方式中，所述環形上檐中，所述內導流筒貼設于所述保溫氈的上表面及側面，所述外導流筒貼設于所述保溫氈的下表面。

在一些較佳的實施方式中，所述單晶爐還包括支撐件，所述支撐件設于所述保溫件、間隔件及環形上檐下方以支撐所述保溫件、間隔件及環形上檐。

在一些較佳的實施方式中，所述支撐件包括與所述間隔件內側面配合以對其進行限位的環形凸起。

在一些較佳的實施方式中，所述間隔件包括嵌設于所述導流熱屏及保溫件之間的第一部分、連接設于所述第一部分上方的第二部分，所述第一部分為環形階梯形，所述第二部分為喇叭狀開口結構。

在一些較佳的實施方式中，所述保溫件包括與所述第二部分配合的斜面，且所述第二部分上端高于所述保溫件上表面。

在一些較佳的實施方式中，所述間隔件的材質為靜電壓細石墨。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：