[實用新型]一種晶圓熱處理設(shè)備的邊緣環(huán)及晶圓熱處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020022542.X
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN211265419U
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉佑銘
• 申請（專利權(quán)）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 陳敏

1.一種晶圓熱處理設(shè)備的邊緣環(huán)，其特征在于，包括：外環(huán)、內(nèi)環(huán)以及連接所述內(nèi)環(huán)與外環(huán)的側(cè)壁；

所述外環(huán)具有上表面和下表面；

所述側(cè)壁沿所述外環(huán)的下表面向下延伸，具有第一側(cè)面和第二側(cè)面；

所述內(nèi)環(huán)自所述側(cè)壁的末端沿所述側(cè)壁的徑向向內(nèi)延伸，所述內(nèi)環(huán)用于承載晶圓；

其中，所述內(nèi)環(huán)為透光圓環(huán)，所述外環(huán)與所述側(cè)壁均為不透光圓環(huán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述外環(huán)、所述側(cè)壁以及所述內(nèi)環(huán)為一體式結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述邊緣環(huán)的為石英邊緣環(huán)，其中所述外環(huán)的所述下表面和/或所述上表面以及所述側(cè)壁的所述第一側(cè)面和/或所述第二側(cè)面涂覆有阻光涂層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述邊緣環(huán)的內(nèi)環(huán)寬度介于1mm～5mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述阻光涂層為紅外遮光涂層。

6.一種晶圓熱處理設(shè)備，其特征在于，包括：熱輻射加熱器、高溫計以及邊緣環(huán)，所述熱輻射加熱器設(shè)置在所述邊緣環(huán)的下方，所述高溫計設(shè)置在所述邊緣環(huán)的上方用于檢測所述邊緣環(huán)上的晶圓的表面溫度，其中所述邊緣環(huán)包括權(quán)利要求1-5中任一項所述的邊緣環(huán)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓熱處理設(shè)備，其特征在于，還包括反射器，所述反射器設(shè)置在所述邊緣環(huán)的外圍并且環(huán)繞所述邊緣環(huán)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓熱處理設(shè)備，其特征在于，所述反射器的高度大于等于所述邊緣環(huán)的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓熱處理設(shè)備，其特征在于，所述反射器可升降地設(shè)置在所述邊緣環(huán)的外圍。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓熱處理設(shè)備，其特征在于，所述熱輻射加熱器為紅外線鹵素?zé)簟?/p>