[實(shí)用新型]硅光子芯片光功率測量裝置及設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020002646.4
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN211236361U
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田桂霞;洪小剛;陳奔;沈笑寒;郭倩
• 申請（專利權(quán)）人: 亨通洛克利科技有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42;G01J1/00
• 代理公司: 蘇州睿昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32277
• 代理人: 陳蜜

1.一種硅光子芯片光功率測量裝置，所述硅光子芯片上設(shè)有硅光波導(dǎo)，其特征在于：所述硅光子芯片光功率測量裝置包括，

光反射部件，其配置于所述硅光波導(dǎo)出射光的傳輸路徑上，所述硅光波導(dǎo)的出射光經(jīng)所述光反射部件反射產(chǎn)生反射光；

光傳導(dǎo)部件，其配置于所述反射光的傳輸路徑上，用于軸向傳輸所述反射光至其端部輸出；

光功率探測器，其用于接收所述光傳導(dǎo)部件端部輸出的反射光，并測量所述反射光的光功率。

2.如權(quán)利要求1所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述光傳導(dǎo)部件配置于所述硅光子芯片的光纖匹配槽內(nèi)，且沿所述光纖匹配槽延伸方向的垂直方向延伸；所述光傳導(dǎo)部件與光纖匹配槽接觸的端部加工有反射面，所述反射面形成所述光反射部件；所述硅光波導(dǎo)的出射光進(jìn)入光傳導(dǎo)部件內(nèi)經(jīng)由所述反射面反射產(chǎn)生反射光，所述反射光在光傳導(dǎo)部件內(nèi)沿其軸向傳輸至另一端部輸出。

3.如權(quán)利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述光傳導(dǎo)部件為玻璃棒或者光纖棒。

4.如權(quán)利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述反射面與光纖匹配槽所在平面的夾角為45°±2.5°。

5.如權(quán)利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述反射面通過反射層作用于所述硅光波導(dǎo)的出射光。

6.如權(quán)利要求5所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述光傳導(dǎo)部件位于其光傳輸段的外側(cè)面設(shè)有所述反射層。

7.如權(quán)利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述光傳導(dǎo)部件的出光端面和位于其光入射段的外側(cè)面均設(shè)有增透層。

8.如權(quán)利要求1所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述光傳導(dǎo)部件與硅光波導(dǎo)的出光面之間具有安全間隙，所述安全間隙為0～0.15mm。

9.一種晶圓級硅光子芯片光功率測量設(shè)備，所述晶圓具有陣列排布的多個(gè)硅光子芯片，其特征在于：其包括多組如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的硅光子芯片光功率測量裝置，所述多組硅光子芯片光功率測量裝置一一對應(yīng)的測量所述多個(gè)硅光子芯片的光功率。