[發明專利]倒置發光器件及其制備方法、顯示裝置以及固態照明裝置

在審

• 申請號: 202011645324.2
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112786799A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 朱佩
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 宋朝政

1.一種倒置發光器件，其特征在于，包括依次設置的陰極、電子傳輸層和發光層，所述電子傳輸層包括呈層疊設置的第一結構層和第二結構層，所述第一結構層靠近所述陰極設置，所述第二結構層靠近所述發光層設置，其中，所述第一結構層的材質包括第一電子傳輸材料，所述第二結構層的材質包括第二電子傳輸材料和半導體二維材料，所述半導體二維材料與所述第二電子傳輸材料的能帶交互匹配且負載于所述第二電子傳輸材料的表面。

2.如權利要求1所述的倒置發光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸材料包括氧化鈦，所述第二電子傳輸材料包括氧化鋅；和/或，

所述半導體二維材料包括氮化碳、氮化硼、碳化鉬和黑磷中的任意一種。

3.如權利要求2所述的倒置發光器件，其特征在于，所述氧化鈦為去頂八面體晶相的氧化鈦顆粒，所述氧化鋅為長徑比1000～3000的氧化鋅納米棒；和/或，

所述半導體二維材料包括氮化碳。

4.如權利要求1所述的倒置發光器件，其特征在于，所述半導體二維材料的質量為所述第二電子傳輸材料質量的5～10％；和/或，

所述第一結構層的厚度為5～10nm；和/或，

所述第一結構層和第二結構層的總厚度為30～150nm。

5.如權利要求1所述的倒置發光器件，其特征在于，所述倒置發光器件為量子點發光二極管。

6.一種倒置發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將第一電子傳輸材料制備成為薄膜，形成第一結構層；

在所述第一結構層上設置第二電子傳輸材料，并在所述第二電子傳輸材料上負載使半導體二維材料，形成與所述第一結構層層疊設置的第二結構層，制得電子傳輸層。

7.如權利要求6所述的倒置發光器件的制備方法，其特征在于，在所述第一結構層上設置第二電子傳輸材料，并在所述第二電子傳輸材料上負載使半導體二維材料，形成與所述第一結構層層疊設置的第二結構層，制得電子傳輸層的步驟包括：

通過電化學反應，在所述第一結構層上制備長徑比為1000～3000nm氧化鋅納米棒；

利用熱縮聚的方式，在所述氧化鋅納米棒上沉積半導體二維材料，形成與所述第一結構層層疊設置的第二結構層，制得電子傳輸層。

8.如權利要求7所述的倒置發光器件的制備方法，其特征在于，利用熱縮聚的方式，在所述氧化鋅納米棒上沉積半導體二維材料，形成與所述第一結構層層疊設置的第二結構層，制得電子傳輸層的步驟，包括：

所述熱縮聚的升溫速率為4～6℃，縮聚反應溫度為500～600℃、反應時間為20～40min。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1至5任意一項所述的倒置發光器件或由如權利要求6至8任意一項所述的方法制得的倒置發光器件。

10.一種固態照明裝置，其特征在于，所述固態照明裝置包括如權利要求1至5任意一項所述的倒置發光器件或由如權利要求6至8任意一項所述的方法制得的倒置發光器件。