[發明專利]上下料控制方法、存儲介質、等離子清洗設備

有效

• 申請號: 202011645192.3
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112750736B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 賀岳;邱顯新;孫飛翔;鐘軍勇;謝一心;蘇金土;孔令民;張凱
• 申請（專利權）人: 深圳泰德半導體裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02;B08B7/00
• 代理公司: 深圳市恒程創新知識產權代理有限公司 44542
• 代理人: 苗廣冬

1.一種上下料控制方法，所述上下料控制方法應用于等離子清洗設備，其特征在于，所述等離子清洗設備包括推送裝置、治具、上料裝置、傳送裝置以及清洗腔，所述傳送裝置包括一條或多條相互間隔設置的傳送帶，且各個所述傳送帶的位置可調，所述上下料控制方法包括：

接收到上料指令時，獲取待上料的目標框架的框架類型，其中，不同的框架具有不同的長度、寬度、高度；

獲取所述框架類型對應的運動參數，所述運動參數包括上料裝置對應的第一子運動參數以及傳送裝置對應的第二子運動參數，其中，所述第一子運動參數包括了控制所述上料裝置沿X軸方向的移動距離以及沿Y軸方向移動的距離，所述第二子運動參數包括了控制所述傳送帶沿X軸方向的移動距離以及沿Y軸方向移動的距離；

獲取所述框架類型對應的彈夾行距；

控制所述推送裝置根據所述彈夾行距確定目標推料點的位置參數，其中，不同型號的所述目標框架的高度不同，彈夾中相鄰容置架之間的間距也不同，所述目標推料點包括第一推料點以及與所述第一推料點相鄰的第二推料點，所述彈夾具有多層所述容置架，所述第二推料點的位置參數根據所述第一推料點的所述位置參數、所述目標框架所在容置架層數以及所述彈夾行距計算獲得；

控制所述上料裝置按照所述第一子運動參數運行，以將所述目標框架從所述目標推料點推動到所述傳送裝置上；

控制所述傳送裝置根據第三子運動參數調整各個所述傳送帶的位置，以承接所述目標框架，其中，所述第二子運動參數包括多個所述第三子運動參數；

控制所述上料裝置將目標框架從所述目標推料點推動到調整后的所述傳送帶上。

2.如權利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述等離子清洗設備還包括升降裝置，所述運動參數還包括第四子運動參數，所述控制所述上料裝置將所述目標框架從所述目標推料點推動到調整后的所述傳送帶上的步驟之后還包括：

控制所述升降裝置根據所述第四子運動參數移動所述治具。

3.如權利要求2所述的上下料控制方法，其特征在于，所述控制所述上料裝置按照所述第一子運動參數運行，以將所述目標框架從所述目標推料點推動到所述傳送裝置上的步驟之后還包括：

實時獲取所述上料裝置和/或所述傳送裝置和/或所述升降裝置的當前位置參數，將所述當前位置參數置輸出至顯示界面。

4.如權利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述目標推料點包括第一推料點以及與所述第一推料點相鄰的第二推料點，所述彈夾具有多層容置架，所述第二推料點的位置參數根據所述第一推料點的位置參數、所述目標框架所在容置架層數以及所述彈夾行距計算獲得。

5.如權利要求4所述的上下料控制方法，其特征在于，所述接收到上料指令時，獲取待上料的目標框架的框架類型的步驟之后還包括：

根據所述框架類型判斷存儲器中是否保存有與所述目標框架對應的所述運動參數；

當所述存儲器中沒有保存有與所述框架類型對應的所述運動參數時；

接收輸入信息獲得所述目標框架的長度、寬度、高度以確定所述第一推料點的位置參數、所述第一子運動參數、所述第二子運動參數；

關聯保存所述第一子運動參數、所述第二子運動參數、所述第一推料點的位置參數以及所述框架類型。

6.如權利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述等離子清洗設備還包括信息識別裝置，所述控制所述上料裝置將所述目標框架從所述目標推料點推動到調整后的所述傳送帶上的步驟之后還包括：

控制所述信息識別裝置獲取所述目標框架上的識別碼以更新所述識別碼對應的芯片的清洗記錄。

7.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質存儲有芯片清洗框架的上下料控制程序，所述芯片清洗框架的上下料控制程序被處理器執行時實現如權利要求1-6任一項所述的上下料控制方法的各個步驟。

8.一種等離子清洗設備，其特征在于，所述等離子清洗設備包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的上下料控制方法，所述上下料控制方法被所述處理器執行時實現如權利要求1至6中任一項所述的上下料控制方法的步驟。