[發明專利]存儲器結構、存儲器器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202011644634.2
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN113130496A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 張朝淵;林建隆;陳瑞麟;張峰銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;G11C11/413
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種存儲器結構，包括：

襯底；

存儲單元的第一晶體管，形成在所述襯底上方，所述第一晶體管包括第一端子和第二端子；

第一金屬化層級，位于所述第一晶體管上方，所述第一金屬化層級包括第一金屬線結構和與所述第一金屬線結構分離的金屬島結構，所述第一金屬線結構沿第一橫向方向長度取向并且連接至所述第一晶體管的所述第一端子，所述金屬島結構連接至所述第一晶體管的所述第二端子；

第二金屬化層級，位于所述第一金屬化層級上方，所述第二金屬化層級包括第一金屬跨接線結構，所述第一金屬跨接線結構連接至所述金屬島結構并且與所述第一金屬線結構不重疊定位；以及

第三金屬化層級，位于所述第二金屬化層級上方，所述第三金屬化層級包括第二金屬線結構，所述第二金屬線結構沿與所述第一橫向方向不同的第二橫向方向長度取向，所述第二金屬線結構連接至所述第一金屬跨接線結構。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，其中，所述第二橫向方向與所述第一橫向方向正交。

3.根據權利要求1所述的存儲器結構，其中，所述第一金屬跨接線結構至少通過所述第一金屬跨接線結構正下方的第一互連結構連接至所述金屬島結構。

4.根據權利要求3所述的存儲器結構，其中，所述第一互連結構與所述第一金屬線結構不重疊。

5.根據權利要求3所述的存儲器結構，還包括定位為垂直地位于所述第二金屬化層級與所述第三金屬化層級之間的第四金屬化層級，所述第四金屬化層級包括連接至所述第一金屬跨接線結構的第二金屬跨接線結構，所述第二金屬跨接線結構比所述第一金屬跨接線結構在橫向平面中包括更大的表面面積。

6.根據權利要求5所述的存儲器結構，其中，所述第二金屬跨接線結構比所述第一金屬跨接線結構在所述第一橫向方向上包括更大的尺寸同時與所述第一金屬跨接線結構在所述第二橫向方向上包括相同的尺寸。

7.根據權利要求5所述的存儲器結構，其中，所述第二金屬跨接線結構至少通過位于所述第二金屬跨接線結構正下方的第二互連結構連接至所述第一金屬跨接線結構。

8.根據權利要求7所述的存儲器結構，其中，所述第二互連結構比所述第一互連結構在所述橫向平面中包括更大的表面面積。

9.一種存儲器器件，包括：

襯底；

傳輸門晶體管，位于所述襯底上方，所述傳輸門晶體管包括第一端子和第二端子；

第一信號線，定位于所述傳輸門晶體管上方的第一金屬化層級中，所述第一信號線連接至所述傳輸門晶體管的所述第一端子；

金屬島結構，位于所述第一金屬化層級中，所述金屬島結構與所述第一信號線橫向分離；

第二信號線，定位于第二金屬化層級中；

第三金屬化層級，垂直地定位于所述第一金屬化層級和所述第二金屬化層級之間；以及

第一金屬跨接線結構，位于所述第三金屬化層級中，所述第一金屬跨接線結構連接至所述第二信號線和所述金屬島結構二者。

10.一種形成存儲器器件的方法，包括：

在晶圓上方形成第一金屬化層級，所述晶圓包括位于襯底上方的存儲單元的第一晶體管，所述第一晶體管包括第一端子和第二端子，所述第一金屬化層級包括第一金屬線結構和與所述第一金屬線結構橫向分離的金屬島結構，所述第一金屬線結構沿第一橫向方向長度取向并且連接至所述第一晶體管的所述第一端子，所述金屬島結構連接至所述第一晶體管的所述第二端子；

在所述第一金屬化層級上方形成第二金屬化層級，所述第二金屬化層級包括第一金屬跨接線結構，所述第一金屬跨接線結構連接至所述金屬島結構并且與所述第一金屬線結構不重疊地定位；以及

在所述第二金屬化層級上方形成第三金屬化層級，所述第三金屬化層級包括第二金屬線結構，所述第二金屬線結構沿與所述第一橫向方向不同的第二橫向方向長度取向，所述第二金屬線結構連接至所述第一金屬跨接線結構。