[發(fā)明專利]顯示基板及其制作工藝、顯示設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011644330.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112750887A | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉珍太 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)沙惠科光電有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 張志江 |
| 地址: | 410300 湖南省長(zhǎng)*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作 工藝 設(shè)備 | ||
1.一種顯示基板制作工藝,其特征在于,所述顯示基板制作工藝包括以下步驟:
在基板上沉積平坦層,并將像素元件安裝在所述平坦層上;
在所述平坦層及所述像素元件上沉積透光層;
在所述透光層上印刷光學(xué)膠體,所述光學(xué)膠體的折射率為1.4~2.0;
將第一濾光片貼裝在所述光學(xué)膠體上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板制作工藝,其特征在于,在所述透光層上印刷光學(xué)膠體的步驟之后,還包括:
將所述光學(xué)膠體的表面刮平,以使所述光學(xué)膠體的表面與所述像素元件的表面平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板制作工藝,其特征在于,將第一濾光片貼裝在所述光學(xué)膠體上的步驟之后,還包括:
將所述第一濾光片壓緊在所述光學(xué)膠體上以排出所述第一濾光片與所述光學(xué)膠體之間的空氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板制作工藝,其特征在于,將第一濾光片貼裝在所述光學(xué)膠體上的步驟之后,還包括:
在所述第一濾光片上貼設(shè)第二濾光片;
在所述第二濾光片上貼設(shè)黑色矩陣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板制作工藝,其特征在于,在基板上沉積平坦層,并將像素元件安裝在所述平坦層上的步驟之后,還包括:
在所述像素元件上蝕刻出第一沉槽以使基板暴露;
沿所述像素元件以及所述第一沉槽的側(cè)壁沉積陰極層以使所述像素元件與所述基板電連接。
6.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括:
基板,所述基板上沉積有平坦層;
像素元件,所述像素元件設(shè)置在所述平坦層上;
透光層,所述透光層設(shè)置在所述像素元件上;
第一濾光片,所述第一濾光片設(shè)置在所述透光層上;
其中,所述透光層與所述第一濾光片之間涂有光學(xué)膠體,所述光學(xué)膠體的折射率為1.4~2.0。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括陰極層,所述像素元件上設(shè)有第一沉槽,所述第一沉槽的一端與所述陰極層連通,所述第一沉槽的另一端與所述基板連通,所述陰極層設(shè)置在所述像素元件上,且沿所述第一沉槽的側(cè)壁延伸至與所述基板電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括量子層,所述量子層設(shè)置在所述第一濾光片上朝向所述像素元件的一側(cè),所述像素元件發(fā)出的光束透過(guò)所述量子層以轉(zhuǎn)變光束的顏色。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括第二濾光片以及黑色矩陣,所述第二濾光片的顏色異于所述第一濾光片的顏色,其中,所述黑色矩陣設(shè)置在所述第二濾光片上,并將所述第二濾光片包裹。
10.一種顯示設(shè)備,其特征在于,所述顯示設(shè)備包括背板、顯示屏以及如權(quán)利要求6~9中任一項(xiàng)所述的顯示基板,所述顯示屏蓋合在所述背板上,所述顯示基板設(shè)置在所述顯示屏與所述顯示背板之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





