[發明專利]一種大尺寸硅片的切割方法

在審

• 申請號: 202011644240.7
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112643910A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 陳雪;張舒;高紀凡;王樂
• 申請（專利權）人: 天合光能股份有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務所 33233
• 代理人: 郭小麗

1.一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，將單晶圓棒去除頭尾后，沿著單晶圓棒的軸心線方向將單晶圓棒切割成若干個立方體晶棒，每個立方體晶棒至少有兩條邊的邊長與其他的立方體晶棒相同，之后將立方體晶棒沿那條與其他立方體晶棒的邊長不同的邊進行切片，切割成矩形硅片。

2.根據權利要求1所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，所述的立方體至少有3個。

3.根據權利要求1所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，當單晶圓棒的有效直徑大于目標硅片寬度d的一倍而小于等于目標硅片寬度d的三倍時，將單晶圓棒沿其軸心線方向切割成三個立方體晶棒，其中較大的立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h1,沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，另外兩個較小的立方體晶棒，一邊長為d，一邊長為h2，沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，將較大的立方體晶棒沿著邊長為h1的邊切割硅片，將較大的立方體晶棒沿著邊長為h2的邊切割硅片，得到長寬分別為l和d的矩形硅片。

4.根據權利要求3所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度為50-250μm。

5.根據權利要求1所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，當單晶圓棒的有效直徑大于目標硅片寬度d的二倍而小于目標硅片寬度d的三倍時，將圓棒切割成6個立方體方棒，其中2個較大的立方體晶棒其中一邊長為d，一邊長為h1,沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l；另外兩個相對小的立方體，一邊長為d，一邊長為h2,沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l；另外還有兩個相對小的立方體，一邊長為d，一邊長為h3，沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，分別將6個立方體晶棒沿著邊長為h1、h2和h3的邊切割硅片，得到長寬分別為l和d的矩形硅片。

6.根據權利要求5所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度為50-250μm。

7.根據權利要求1所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，當單晶圓棒的有效直徑大于目標硅片寬度d的三倍時，將圓棒切割成5個立方體晶棒，其中一個立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h1,沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l；其中二個立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h2，沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，剩余二個立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h3,沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，分別將5個立方體晶棒沿著邊長為h1、h2和h3的邊切割硅片，得到長寬分別為l和d的矩形硅片。

8.根據權利要求7所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度為50-250μm。

9.根據權利要求1所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，當單晶圓棒的有效直徑大于目標硅片寬度d的三倍時，將圓棒切割成11個立方體晶棒，其中三個立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h1，沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，其中四個立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h2，沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，剩余四個立方體晶棒一邊長為d，一邊長為h3，沿著單晶圓棒軸心線方向的深度為l，分別將11個立方體晶棒沿著邊長為h1、h2和h3的邊切割硅片，得到長寬分別為l和d的矩形硅片。

10.根據權利要求9所述的一種大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度為50-250μm。